計算ツール
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
データシート
LM7480-Q1
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1： –40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
- 3V～65V の入力範囲
- 最低 –65V までの逆入力保護
- 共通ドレインと共通ソースの構成で外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
- アノードからカソードへ 10.5mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作 (LM74800-Q1)
- 低いスレッショルド (–4.5mV) と高速応答 (0.5µs) の逆電流検出
- 20mA のピーク・ゲート (DGATE) ターンオン電流
- 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
- 調整可能な過電圧保護機能
- 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = LOW)：2.87µA
- 適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
- 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給
LM7480x-Q1 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御し、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護により理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V～65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆電流保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (ON/OFF 制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには可変の過電圧カットオフ保護機能があります。LM7480-Q1 には LM74800-Q1 と LM74801-Q1 という 2 つのバリエーションがあります。LM74800-Q1 は、リニア・レギュレーションおよびコンパレータ方式を使用した逆電流ブロックを採用しています。一方、LM74801-Q1 はコンパレータに基づく方式をサポートしています。共通ドレイン構成のパワー MOSFET の場合、もう 1 つの理想ダイオードを使用した OR 接続設計のために中間点を利用できます。LM7480x-Q1 は 65V の最大電圧定格を持っています。本デバイスと外付け MOSFET を共通ソース・トポロジに構成することで、24V バッテリ・システムの 200V 非抑制負荷ダンプのような大きな過電圧過渡からも負荷を保護できます。
技術資料
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評価ボード
LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 ideal diode controller evaluation module
TI's Evaluation Module LM74800EVM-CD helps designers evaluate the operation and performance of the LM7480-Q1 ideal diode controllers (LM74800QDRR and LM74801QDRR) in reverse battery protection applications. This evaluation module demonstrates how LM7480-Q1 controls two back-back N-channel power (...)
評価ボード
LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想ダイオード・コントローラの評価基板
TI の LM74800EVM-CD 評価基板は、バッテリ逆接続保護アプリケーションで、LM7480-Q1 理想ダイオード コントローラ (LM74800QDRR と LM74801QDRR) を使用する場合の動作と性能を評価するのに役立ちます。この評価基板は、LM7480-Q1 が 2 個の背面結合 N チャネル・パワー MOSFET を制御するために、理想ダイオードを最初の MOSFET に接続し、それより後段に 2 番目の MOSFET を接続して、出力の切り替えとパワー・パスのカットオフを実施する方法を示します。
シミュレーション・モデル
LM74800-Q1 TINA-TI Common Drain Transient Model
SLVMDD0.TSC (407 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル
LM74800-Q1 TINA-TI Common Source Transient Model
SLVMDD1.TSC (656 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・ツール
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン
PMP23146 — サーバーの補助電源向け、GaN 搭載、45W、電力密度の高いアクティブ クランプ フライバックのリファレンス デザイン
このリファレンス・デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 45kW アクティブ・クランプ・フライバック (ACF) です。この電源は、サーバーとテレコムの電源ユニット (PSU) に補助電力を供給する設計を採用しています。UCC28782 ACF コントローラと LMG2610 GaN ハーフ・ブリッジを採用し、UCC24612 との組み合わせで同期整流を行う平面トランスを駆動します。この補助電源は、PFC (力率補正) バス電圧を入力として使用して動作する設計を採用しており、3.7A を供給できる絶縁型 12V 出力と、最大 400mA を供給できる非絶縁型 18V (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
TIDA-010242 — MIL-STD-1275E サージ保護のリファレンス・デザイン
MIL-STD-1275E 規格は、ミリタリー向け車両で各種機器を使用するための 28V DC 入力電力に関する最新の特性を規定しています。この規格は、ミリタリー向け車両の動作中に発生する 3 つの主な事象の特性を規定しており、28V の主電源に接続されている各種機器をこれら 3 つの事象から保護する必要があります。これらの事象とは、逆極性、電圧スパイク、電圧サージです。これらの事象に合格するには、逆極性事象が発生している間は保護回路を動作させず、電力を供給しないことが必要です。スパイク事象とサージ事象が発生している間、保護回路の出力を公称 28V、最大 34V (...)
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン
TIDA-010240 — スケーラブルなマルチパック・スマート・バッテリ・チャージャのリファレンス・デザイン
一般的に、100W 時 (Wh) を上回るリチウム・バッテリを機内持ち込み手荷物として持ち運ぶことは許可されていません。この規則に対する例外扱いは航空会社の裁量であり、事前の承認を必要とします。このリファレンス・デザインは、最大 100Wh のデュアル・スマート・バッテリ・パック向けスマート高効率チャージャのデザインであり、並列構成を採用した 1S ～ 5S (1 ～ 5 個の直列) のリチウムイオン (Li-ion) バッテリという実装を採用しています。
設計ガイド: PDF
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。