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LM7481-Q1

アクティブ

車載対応、B2B (双方向) NFET を駆動するアクティブ整流機能搭載、理想ダイオード コントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1: –40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 3V~65V の入力範囲
  • 最低 –65V までの逆入力保護
  • 外付けバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
  • アノードからカソードへ 9.1mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
  • 低いスレッショルド (–4mV) と高速応答 (0.5µs) の逆電流検出
  • 最大 200kHz のアクティブ整流
  • 60mA のピーク・ゲート (DGATE) ターンオン電流
  • 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
  • 3.8mA 内蔵チャージ・ポンプ
  • 可変の過電圧保護
  • 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = LOW):2.87µA
  • 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
  • 適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
  • 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給
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    • デバイス温度グレード 1: –40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 3V~65V の入力範囲
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  • 外付けバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
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  • 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
  • 3.8mA 内蔵チャージ・ポンプ
  • 可変の過電圧保護
  • 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = LOW):2.87µA
  • 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
  • 適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
  • 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給

LM74810-Q1 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御し、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護により理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V~65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆電流保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。60mA ピークのゲート・ソース電流ドライバ段を備え、ターンオン / ターンオフ遅延時間が短い 3.8mA の強力なチャージ・ポンプを使用することで、高速な過渡応答を確保し、入力の短時間停電と最大 200kHz の周波数の AC 重畳入力信号に ECU がさらされる ISO16750 または LV124 などの車載テスト中も堅牢かつ効率的な MOSFET スイッチング性能を確保します。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (ON/OFF 制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには、負荷ダンプ保護のための可変の過電圧カットオフ保護機能があります。

LM74810-Q1 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御し、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護により理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V~65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆電流保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。60mA ピークのゲート・ソース電流ドライバ段を備え、ターンオン / ターンオフ遅延時間が短い 3.8mA の強力なチャージ・ポンプを使用することで、高速な過渡応答を確保し、入力の短時間停電と最大 200kHz の周波数の AC 重畳入力信号に ECU がさらされる ISO16750 または LV124 などの車載テスト中も堅牢かつ効率的な MOSFET スイッチング性能を確保します。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (ON/OFF 制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには、負荷ダンプ保護のための可変の過電圧カットオフ保護機能があります。

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技術資料

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設計と開発

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製品
理想ダイオード / OR コントローラ
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回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
WSON (DRR) 12 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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