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LMG1205

アクティブ

5V UVLO 搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.2A、5A、90V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

製品詳細

Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.09 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.09 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
DSBGA (YFX) 12 3.24 mm² 1.8 x 1.8
  • ハイサイドとローサイドで独立した TTL ロジック入力
  • ピーク・ソース 1.2A、シンク電流 5A
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは 最高 DC 100V で動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
  • 出力の分割により、ターンオンおよび ターンオフの強度を調整可能
  • プルダウン 0.6Ω、プルアップ 2.1Ω の抵抗
  • 短い伝播遅延 (標準値 35ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング (標準値 1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • ハイサイドとローサイドで独立した TTL ロジック入力
  • ピーク・ソース 1.2A、シンク電流 5A
  • ハイサイドのフローティング・バイアス電圧レールは 最高 DC 100V で動作可能
  • 内部ブートストラップ電源電圧クランプ
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  • プルダウン 0.6Ω、プルアップ 2.1Ω の抵抗
  • 短い伝播遅延 (標準値 35ns)
  • 優れた伝搬遅延マッチング (標準値 1.5ns)
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力

LMG1205 は、同期整流降圧、昇圧、またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム (GaN) FET を駆動できるように設計されています。このデバイスには 100V のブートストラップ・ダイオード、およびハイサイドとローサイド出力用に独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技法を使用して生成され、内部で 5V にクランプされます。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モード GaN FET の最大ゲート・ソース電圧定格を超過しなくなります。LMG1205 の入力は TTL ロジック互換で、VDD 電圧に関係なく最大 14V の入力電圧に耐えることができます。LMG1205 には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

さらに、LM1205 の強力なシンク能力によりゲートが LOW 状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LMG1205 の最大動作周波数は数 MHz です。LMG1205 は、占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化された、12 ピンの DSBGA パッケージで供給されます。

LMG1205 は、同期整流降圧、昇圧、またはハーフブリッジ構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム (GaN) FET を駆動できるように設計されています。このデバイスには 100V のブートストラップ・ダイオード、およびハイサイドとローサイド出力用に独立した入力が内蔵され、最大の柔軟性で制御が可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技法を使用して生成され、内部で 5V にクランプされます。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モード GaN FET の最大ゲート・ソース電圧定格を超過しなくなります。LMG1205 の入力は TTL ロジック互換で、VDD 電圧に関係なく最大 14V の入力電圧に耐えることができます。LMG1205 には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

さらに、LM1205 の強力なシンク能力によりゲートが LOW 状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LMG1205 の最大動作周波数は数 MHz です。LMG1205 は、占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化された、12 ピンの DSBGA パッケージで供給されます。

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技術資料

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設計と開発

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サポート対象の製品とハードウェア

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製品
ハーフ・ブリッジ・ドライバ
LMG1205 5V UVLO 搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.2A、5A、90V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
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PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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パッケージ ピン数 ダウンロード
DSBGA (YFX) 12 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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