LMG1210

アクティブ

5V UVLO とプログラマブル・デッドタイム機能搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.5A、3A、200V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

製品の詳細

Bus voltage (Max) (V) 300 Power switch MOSFET, GaNFET Input VCC (Min) (V) 6 Input VCC (Max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Rise time (ns) 0.5 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 4 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 0.5 Prop delay (ns) 10 Iq (uA) 300 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp
Bus voltage (Max) (V) 300 Power switch MOSFET, GaNFET Input VCC (Min) (V) 6 Input VCC (Max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Rise time (ns) 0.5 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 4 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 0.5 Prop delay (ns) 10 Iq (uA) 300 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp
  • 最大 50MHz で動作
  • 10ns (標準値) の伝搬遅延
  • 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
  • 最小パルス幅:4ns
  • 2 つの制御入力オプション
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 独立入力モード
  • 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • 内部 LDO による電圧レールへの適応性
  • 高い CMTI:300V/ns
  • HO から LO への容量が 1pF 未満
  • UVLO および過熱保護
  • 低インダクタンスの WQFN パッケージ
  • 最大 50MHz で動作
  • 10ns (標準値) の伝搬遅延
  • 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
  • 最小パルス幅:4ns
  • 2 つの制御入力オプション
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 独立入力モード
  • 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • 内部 LDO による電圧レールへの適応性
  • 高い CMTI:300V/ns
  • HO から LO への容量が 1pF 未満
  • UVLO および過熱保護
  • 低インダクタンスの WQFN パッケージ

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0~20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C~125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0~20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C~125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。

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技術資料

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14 資料すべて表示
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート LMG1210 デッドタイム調整可能な 200V、1.5A、3A ハーフ・ブリッジ MOSFET および GaN FET ドライバ、最大 50MHz のアプリケーション向け データシート (Rev. D 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.D) 2020年 2月 6日
アプリケーション・ノート External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート How to Optimize RF Amplifier Performance Using LMG1210 2019年 10月 3日
アプリケーション・ノート GaN Gate Driver Layout Help 2019年 5月 23日
アプリケーション・ノート LMG1210 Layout Technique 2019年 5月 23日
アプリケーション・ノート How to get full functionality using LMG1210 2018年 12月 5日
アプリケーション・ノート Optimizing Efficiency Through Dead Time Control With the LMG1210 GaN Driver (Rev. A) 2018年 11月 27日
ホワイト・ペーパー Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A) 2018年 11月 27日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 The sound of GaN 2018年 6月 26日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
ユーザー・ガイド Using the LMG1210-HB-EVM User's Guide 2018年 1月 29日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

シミュレーション・モデル

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice Model
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを活用して、複雑なミックスド・シグナル設計のシミュレーションを実施することができます。完成度の高い最終機器を設計し、レイアウトの確定や製造開始より前に、ソリューションのプロトタイプを製作することができます。この結果、市場投入期間の短縮と開発コストの削減を実現できます。 

設計とシミュレーション向けのツールである PSpice for TI の環境内で、各種 TI デバイスの検索、製品ラインアップの参照、テスト・ベンチの起動、設計のシミュレーションを実施し、選定したデバイスをさらに分析することができます。また、複数の TI デバイスを組み合わせてシミュレーションを実行することもできます。

事前ロード済みの複数のモデルで構成されたライブラリ全体に加えて、PSpice for TI ツール内で各種 TI デバイスの最新の技術関連資料に簡単にアクセスすることもできます。開発中のアプリケーションに適したデバイスを選定できたことを確認した後、TI 製品の購入ページにアクセスして、その製品を購入することができます。 

PSpice for TI を使用すると、回路の検討から設計の開発や検証まで、作業の進展に合わせて設計サイクルの各段階で、シミュレーションのニーズに適した各種ツールにアクセスできます。コスト不要で入手でき、開発を容易に開始できます。設計とシミュレーションに適した PSpice スイートをダウンロードして、今すぐ設計を開始してください。

 開発の開始

  1. PSpice for TI シミュレータへのアクセスの申請
  2. ダウンロードとインストール
  3. シミュレーション方法説明ビデオのご視聴
CAD/CAE シンボル

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
リファレンス・デザイン

PMP21440 — 比較:GaN 0.8V/8W vs. シリコン電源のリファレンス・デザイン

This reference design provides customers with a comparison study on the usage of GaN vs SI in power supply designs. This specific design uses TPS40400 controller to drive CSD87381 for the silicon power supply and LMG1210 with EPC2111 for the GaN power supply to provide 0.8V/10A. This design compares (...)
リファレンス・デザイン

TIDA-01634 — 高速 DC/DC コンバータ向け、数 MHz で動作する GaN 出力段のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、LMG1210 ハーフ・ブリッジ GaN ドライバと GaN 構造のパワー HEMT(High Electron Mobility Transistor、高電子移動度トランジスタ)をベースとした、マルチ MHz で動作するパワー・ステージのデザインを実装します。このデザインは、高効率のスイッチとフレキシブルなデッドタイム調整機能を採用しており、電力密度を大幅に改善するとともに、良好な効率や広い制御帯域幅も実現します。このパワー・ステージ・デザインは、5G テレコム電源、サーバー、産業用電源など、スペース制約が厳しく高速な応答が求められる多くのアプリケーションに広く活用できます。
パッケージ ピン数 ダウンロード
(RVR) 19 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

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