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LMG2610

アクティブ

ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ

製品詳細

VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 170
VDS (max) (mV) 650000 RDS(on) (mΩ) 170
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650V GaN パワー FET ハーフブリッジ
  • 170mΩ ローサイドおよび 248mΩ ハイサイド GaN FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン・スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート・ドライバ
  • 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
  • ローサイド / ハイサイド・ゲート・ドライブ・インターロック
  • ハイサイド・ゲート・ドライブ信号レベル・シフタ
  • スマート・スイッチ付きブートストラップ・ダイオード機能
  • ハイサイドの起動:8µs 未満
  • ローサイド / ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX アイドル静止電流:240µA
  • AUX スタンバイ静止電流:50µA
  • BST アイドル静止電流:60µA
  • 電源および入力ロジック・ピン最大電圧:26V
  • デュアル・サーマル・パッド付き 9mm x 7mm QFN パッケージ
  • 650V GaN パワー FET ハーフブリッジ
  • 170mΩ ローサイドおよび 248mΩ ハイサイド GaN FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン・スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート・ドライバ
  • 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
  • ローサイド / ハイサイド・ゲート・ドライブ・インターロック
  • ハイサイド・ゲート・ドライブ信号レベル・シフタ
  • スマート・スイッチ付きブートストラップ・ダイオード機能
  • ハイサイドの起動:8µs 未満
  • ローサイド / ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
  • FLT ピン通知付きの過熱保護
  • AUX アイドル静止電流:240µA
  • AUX スタンバイ静止電流:50µA
  • BST アイドル静止電流:60µA
  • 電源および入力ロジック・ピン最大電圧:26V
  • デュアル・サーマル・パッド付き 9mm x 7mm QFN パッケージ

LMG2610 は、スイッチ・モード電源アプリケーションの 75W 未満のアクティブ・クランプ・フライバック (ACF) コン バータに適した 650V GaN パワー FET ハーフブリッジで す。LMG2610 は、ハーフブリッジ・パワー FET、ゲート・ド ライバ、ブートストラップ・ダイオード、ハイサイド・ゲート・ド ライブ・レベル・シフタを 9mm x 7mm の QFN パッケージ に統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基 板面積の低減を実現しています。

GaN FET の非対称の抵抗値は、ACF の動作条件に合 わせて最適化されています。プログラマブルなターンオン・ スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。ロー サイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵 抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサー マル・パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。

ハイサイド・ゲート・ドライブ信号レベル・シフタにより、外付 けソリューションに見られるノイズとバースト・モード電力消 費の問題を解消できます。スマート・スイッチ付き GaN ブ ートストラップ FET を使うと、ダイオードの順方向電圧降下 がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷が ありません。

LMG2610 は、小さい静止電流と高速な起動時間によっ て、コンバータの軽負荷効率要件とバースト・モード動作 に対応しています。保護機能には、FET ターンオン・イン ターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の 電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。

LMG2610 は、スイッチ・モード電源アプリケーションの 75W 未満のアクティブ・クランプ・フライバック (ACF) コン バータに適した 650V GaN パワー FET ハーフブリッジで す。LMG2610 は、ハーフブリッジ・パワー FET、ゲート・ド ライバ、ブートストラップ・ダイオード、ハイサイド・ゲート・ド ライブ・レベル・シフタを 9mm x 7mm の QFN パッケージ に統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基 板面積の低減を実現しています。

GaN FET の非対称の抵抗値は、ACF の動作条件に合 わせて最適化されています。プログラマブルなターンオン・ スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。ロー サイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵 抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサー マル・パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。

ハイサイド・ゲート・ドライブ信号レベル・シフタにより、外付 けソリューションに見られるノイズとバースト・モード電力消 費の問題を解消できます。スマート・スイッチ付き GaN ブ ートストラップ FET を使うと、ダイオードの順方向電圧降下 がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷が ありません。

LMG2610 は、小さい静止電流と高速な起動時間によっ て、コンバータの軽負荷効率要件とバースト・モード動作 に対応しています。保護機能には、FET ターンオン・イン ターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の 電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG2610 アクティブ・クランプ用 650V GaN ハーフブリッジを内蔵したフライバック・コンバータ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 12月 12日
アプリケーション・ノート Enabling Small-Form-Factor AC/DC Adapters With use of Integrated GaN Technology PDF | HTML 2023年 3月 27日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the UCC28782EVM-030 (Rev. C) PDF | HTML 2022年 7月 28日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC28782EVM-030 — UCC28782 GaN ハーフブリッジである LMG2610 を内蔵、65W USB Type-C PD 向け、アクティブ・クランプ・フライバック・コンバータの評価基板 (EVM)

UCC28782EVM-030 は UCC28782 アクティブ・クランプ・フライバック・コントローラを使用して、65W USB Type-C™ Power Delivery (PD) オフライン・アダプタ向けの高効率で高密度の回路を提示します。入力は、90Vac ~ 264Vac のユニバーサル範囲に対応し、単一出力は 5V、9V、15V のいずれかに設定でき、どの場合も最大 3A を供給できます。また、20V で最大 3.25A を供給することもできますが、この場合は USB PD インターフェイス・コントローラによる制御が可能です。公称 250kHz (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

LMG2610 SIMPLIS Model

SNOM766.ZIP (304 KB) - SIMPLIS Model
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
計算ツール

SNOR036 LMG2610 Active-Clamp Flyback Power Stage Design Calculator

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2610 ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ
リファレンス・デザイン

TIDA-050074 — 140W、GaN ベース、USB PD 3.0 USB-C® アダプタのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、GaN (窒化ガリウム) ベースの 140W AC/DC 電源で、高効率と高い電力密度を実現します。広い入力電圧 (90VAC ~ 264VAC) と出力電圧 (5V ~ 28V) に対応しています。USB PD (パワー デリバリ) 3.1 向けのアダプタ設計や、電動工具向けの充電器のようなアプリケーションに適した設計を採用しています。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23146 — サーバーの補助電源向け、GaN 搭載、45W、電力密度の高いアクティブ クランプ フライバックのリファレンス デザイン

このリファレンス・デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 45kW アクティブ・クランプ・フライバック (ACF) です。この電源は、サーバーとテレコムの電源ユニット (PSU) に補助電力を供給する設計を採用しています。UCC28782 ACF コントローラと LMG2610 GaN ハーフ・ブリッジを採用し、UCC24612 との組み合わせで同期整流を行う平面トランスを駆動します。この補助電源は、PFC (力率補正) バス電圧を入力として使用して動作する設計を採用しており、3.7A を供給できる絶縁型 12V 出力と、最大 400mA を供給できる非絶縁型 18V (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP22244 — 60W、GaN 搭載、USB Type-C® 高密度アクティブ・クランプ・フライバックのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、115VAC 入力に対応する、USB Type-C アプリケーション向けの高密度 60W 電源であり、アクティブ・クランプ・フライバック・コントローラである UCC28782、統合型 GaN ハーフブリッジである LMG2610、同期整流器ドライバである UCC24612 を採用しています。最大電力定格は、20V 出力または 15V 出力の場合は 60W、9V 出力の場合は 54W、5V 出力の場合は 30W です。このデザインは、94.8% のピーク効率に達します。このデザインのサイズは、1.5 インチ x 3.35 インチ x 1 インチ (37.5mm x (...)
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RRG) 40 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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