トップ

製品の詳細

パラメータ

RDS (on) (Milliohm) 50 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog open-in-new その他の GaN(窒化ガリウム) IC

パッケージ|ピン|サイズ

VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8 open-in-new その他の GaN(窒化ガリウム) IC

特長

  • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
  • 統合型ゲート・ドライバ
    • 共通ソース・インダクタンスが 0
    • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを 25~100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
    • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールの UVLO 保護
  • 堅牢な保護
    • LMG3410R050:ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R050:サイクル単位の過電流保護

    All trademarks are the property of their respective owners.

    open-in-new その他の GaN(窒化ガリウム) IC

    概要

    ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR050 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

    LMG341xR050 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

    open-in-new その他の GaN(窒化ガリウム) IC
    ダウンロード

    More information

    Get started with your GaN design today with the LMG3410R050 development kit:

    技術資料

    = TI が選択したこの製品の主要ドキュメント
    結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。 すべて表示 14
    種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
    * データシート LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) 最新の英語版をダウンロード (Rev.B) 2020年 1月 16日
    ホワイト・ペーパー Achieving High Efficiency and Enabling Integration in EV Powertrain Subsystems 2020年 11月 18日
    その他の技術資料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
    アプリケーション・ノート Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage 2020年 8月 4日
    その他の技術資料 GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 2019年 3月 25日
    ユーザー・ガイド Using the LMG3410EVM-018 Half-Bridge and LMG34XX-BB--EVM Breakout Board EVM 2019年 3月 8日
    技術記事 20 million GaN reliability hours and counting 2019年 2月 28日
    アプリケーション・ノート Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
    技術記事 Gallium nitride: supporting applications from watts to kilowatts 2018年 12月 19日
    技術記事 20 million reasons to use GaN 2018年 11月 8日
    技術記事 Half the space, double the power: How gallium nitride is revolutionizing robotics, renewable energy, telecom and more 2018年 10月 22日
    アプリケーション・ノート Overcurrent protection in high density GaN power designs 2018年 10月 19日
    その他の技術資料 Product-level Reliability of GaN Devices 2016年 4月 26日
    ホワイト・ペーパー Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016年 3月 31日

    設計と開発

    追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

    ハードウェア開発

    評価ボード ダウンロード
    document-generic ユーザー・ガイド
    199
    概要

    LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフ・ブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は最大 8A の出力電流を供給でき、適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度の超過を確実に防止できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

    相補型パルス幅変調信号と、ボード上に生成される対応デッドタイムにより、必要とされるパルス幅変調入力はわずか 1 つです。短いグランド・スプリングを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できるように、複数のプローブ点が用意されています。

    特長
    • 最大 600V の入力電圧で動作
    • LMG341x ドーター・カードのハーフブリッジ性能を評価するシンプルな開ループ設計
    • デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
    • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点
    ドーター・カード ダウンロード
    document-generic ユーザー・ガイド
    199
    概要
    LMG3410EVM-018 は、2 個の LMG3410R050 600V GaN FET と、内蔵のドライバや保護機能を組み合わせ、1 個のハーフブリッジを構成しています。この EVM は、必要な補助ペリフェラル回路全体を搭載しており、より大規模なシステムと組み合わせた場合も動作する設計を採用しています。
    特長
    • 最大 600V の入力電圧で動作
    • LMG3410R050 の性能を評価するシンプルな開ループ設計
    • デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
    • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点

    設計ツールとシミュレーション

    シミュレーション・モデル ダウンロード
    SNOM689A.ZIP (44 KB) - PSpice Model
    シミュレーション・ツール ダウンロード
    PSpice® for TI design and simulation tool
    PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

    設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを活用して、複雑なミックスド・シグナル設計のシミュレーションを実施することができます。完成度の高い最終機器を設計し、レイアウトの確定や製造開始より前に、ソリューションのプロトタイプを製作することができます。この結果、市場投入期間の短縮と開発コストの削減を実現できます。 

    設計とシミュレーション向けのツールである PSpice for TI の環境内で、各種 TI デバイスの検索、製品ラインアップの参照、テスト・ベンチの起動、設計のシミュレーションを実施し、選定したデバイスをさらに分析することができます。また、複数の TI デバイスを組み合わせてシミュレーションを実行することもできます。

    事前ロード済みの複数のモデルで構成されたライブラリ全体に加えて、PSpice for TI ツール内で各種 TI デバイスの最新の技術関連資料に簡単にアクセスすることもできます。開発中のアプリケーションに適したデバイスを選定できたことを確認した後、TI 製品の購入ページにアクセスして、その製品を購入することができます。 

    PSpice for TI を使用すると、回路の検討から設計の開発や検証まで、作業の進展に合わせて設計サイクルの各段階で、シミュレーションのニーズに適した各種ツールにアクセスできます。コスト不要で入手でき、開発を容易に開始できます。設計とシミュレーションに適した PSpice スイートをダウンロードして、今すぐ設計を開始してください。

     開発の開始

    1. PSpice for TI シミュレータへのアクセスの申請
    2. ダウンロードとインストール
    3. シミュレーション方法説明ビデオのご視聴
    特長
    • Cadence の PSpice テクノロジーを活用
    • デジタル・モデル・スイートが付属する事前インストール済みのライブラリを活用して、ワーストケース・タイミング分析を実現可能
    • 動的更新により、最新のデバイス・モデルに確実にアクセス可能
    • 精度の低下を招かずに、シミュレーション速度を重視して最適化済み
    • 複数製品の同時分析をサポート
    • OrCAD Capture フレームワークを土台とし、業界で最も幅広く使用されている回路図のキャプチャとシミュレーションの環境へのアクセスを実現
    • オフライン作業が可能
    • 以下の点を含め、多様な動作条件とデバイス公差にまたがって設計を検証
      • 自動的な測定と後処理
      • モンテカルロ分析法
      • ワーストケース分析
      • 熱解析

    リファレンス・デザイン

    リファレンス・デザイン ダウンロード
    4-kW interleaved CCM totem pole bridgeless PFC reference design using C2000™ MCU and GaN
    PMP40690 — This reference design is a 4-kW interleaved CCM totem pole (TTPL) bridgeless PFC reference design using a 64-pin C2000™ microcontroller, LM3410 gallium nitride device and TMCS1100 hall sensor. It is based on TIDM-02008 bidirectional interleaved CCM TTPL bridgeless PFC reference (...)
    document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド

    CAD/CAE シンボル

    パッケージ ピン数 ダウンロード
    VQFN (RWH) 32 オプションの表示

    購入と品質

    含まれる情報:
    • RoHS
    • REACH
    • デバイスのマーキング
    • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
    • MSL rating/ リフローピーク温度
    • MTBF/FIT の推定値
    • 原材料組成
    • 認定試験結果
    • 継続的な信頼性モニタ試験結果

    おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

    サポートとトレーニング

    TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

    コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

    TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

    トレーニング・シリーズ

    TI のトレーニングとビデオをすべて表示

    ビデオ