ホーム パワー・マネージメント GaN (窒化ガリウム) IC

LMG3411R070

アクティブ

ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN

製品詳細

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TIのGaNプロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンのGaN FETで優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの8mm×8mm QFNパッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能とEMIを制御するため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12Vの非レギュレート電源のみで動作可能
  • ゲート・ドライバを内蔵
    • 共通ソース・インダクタンスが0
    • MHz動作を可能にする20nsの伝播遅延
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを25~100V/nsの範囲でユーザー設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間100ns未満の過電流保護
    • 150V/nsを超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールのUVLO保護
  • デバイスのオプション
    • LMG3410R070:ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R070:サイクル単位の過電流保護
  • TIのGaNプロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンのGaN FETで優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの8mm×8mm QFNパッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能とEMIを制御するため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12Vの非レギュレート電源のみで動作可能
  • ゲート・ドライバを内蔵
    • 共通ソース・インダクタンスが0
    • MHz動作を可能にする20nsの伝播遅延
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを25~100V/nsの範囲でユーザー設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間100ns未満の過電流保護
    • 150V/nsを超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールのUVLO保護
  • デバイスのオプション
    • LMG3410R070:ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R070:サイクル単位の過電流保護

ドライバおよび保護機能を内蔵したLMG341xR070 GaN電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

あらゆる電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化するための一連の独自機能を組み込んだLMG341xR070は、従来のカスコードおよびスタンドアロンGaN FETに代わるスマート・デバイスです。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

ドライバおよび保護機能を内蔵したLMG341xR070 GaN電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

あらゆる電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化するための一連の独自機能を組み込んだLMG341xR070は、従来のカスコードおよびスタンドアロンGaN FETに代わるスマート・デバイスです。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

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LMG3410R070 アクティブ ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN Differences in overcurrent protection response behavior

技術資料

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設計と開発

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評価ボード

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

(...)

ユーザー ガイド: PDF
ドーター・カード

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価基板は、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。 この評価基板は適切な熱管理(強制空冷、低周波動作など)を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価基板は、オープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。
(...)
ユーザー ガイド: PDF
ドーター・カード

LMG3411EVM-029 — LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG3411EVM-029は、2 個の LMG3411R070 GaN FET をハーフ・ブリッジとして構成し、サイクルごとの過電流保護機能と、必要なすべての補助ペリフェラル回路を搭載しています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムと組み合わせて動作する設計を採用しています。
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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
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SNOR029 GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

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製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
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SNOR030 GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

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製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
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PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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PMP20873 — 効率 99% の 1kW GaN ベース CCM トーテムポール力率補正(PFC)コンバータのリファレンス・デザイン

連続導通モード(CCM)トーテムポール力率補正(PFC)は、シンプルで高効率なパワー・コンバータを実現します。99% の効率を実現するためには、さまざまな設計上の詳細を考慮する必要があります。PMP20873 リファレンス・デザインでは、TI の 600VGaN 出力段、LMG3410、TI の UCD3138 デジタル・コントローラを使用します。設計概要で、CCM トーテムポール・トポロジ動作の詳細、回路設計の詳細な考慮事項、磁気素子およびファームウェア制御設計上の考慮事項を説明します。このコンバータは 100KHz で動作します。AC (...)
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PMP21842 — HV GaN FET 搭載、12V/500W 共振コンバータのリファレンス デザイン

高周波共振コンバータを提示するこのリファレンス デザインは、共振周波数が 500kHz である共振タンクを使用して、380V ~ 400V の入力電圧範囲から 12V の安定化出力を供給します。このデザインは、TI の高電圧 GaN デバイスを UCD3138A や UCD7138 と組み合わせて使用し、デッドタイムと同期整流器 (SR) 導通を最適化して、(バイアス電源を含め) 96.0% のピーク効率を達成します。
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RWH) 32 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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