LMH9135

アクティブ

バラン内蔵、2.3 ~ 4.2GHz、差動からシングルエンドへの変換アンプ

製品詳細

Current consumption (mA) 118 Frequency (min) (MHz) 3200 Frequency (max) (MHz) 4200 Gain (typ) (dB) 18.8 Noise figure (typ) (dB) 3.8 OIP3 (typ) (dBm) 33 P1dB (typ) (dBm) 18 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Type Active Balun Rating Catalog
Current consumption (mA) 118 Frequency (min) (MHz) 3200 Frequency (max) (MHz) 4200 Gain (typ) (dB) 18.8 Noise figure (typ) (dB) 3.8 OIP3 (typ) (dBm) 33 P1dB (typ) (dBm) 18 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Type Active Balun Rating Catalog
WQFN (RRL) 12 4 mm² 2 x 2
  • シングル・チャネル、狭帯域、差動入力シングルエンド出力、RF ゲイン・ブロック・アンプ
  • 3.2~4.2GHz (標準値) の 1dB BWをサポート
  • 18dB (標準値) のゲイン (帯域内)
  • 3.8dB のノイズ指数
  • 31.5dBm の OIP3
  • 18dBm の出力 (P1dB)
  • 395mW の消費電力 (+3.3V 単電源)
  • 最高 TA = 105℃の動作温度
  • シングル・チャネル、狭帯域、差動入力シングルエンド出力、RF ゲイン・ブロック・アンプ
  • 3.2~4.2GHz (標準値) の 1dB BWをサポート
  • 18dB (標準値) のゲイン (帯域内)
  • 3.8dB のノイズ指数
  • 31.5dBm の OIP3
  • 18dBm の出力 (P1dB)
  • 395mW の消費電力 (+3.3V 単電源)
  • 最高 TA = 105℃の動作温度

LMH9135 は、3.2~4.2GHz の周波数帯域をサポートする、高性能、シングル・チャネル、差動入力シングルエンド出力、送信無線周波数 (RF) ゲイン・ブロック・アンプです。このデバイスは、パワー・アンプ (PA) の入力を駆動すると同時に、次世代 5G アクティブ・アンテナ・システム (AAS) またはスモール・セル・アプリケーションの要件をサポートできます。この RF アンプは、18dB (標準値) のゲインと +31.5dBm の出力 IP3 という優れた直線性を備えている一方、1dB 帯域幅全体にわたって 4dB 未満のノイズ指数を維持します。このデバイスは、100Ω の差動入力インピーダンスに対して内部的に整合されているため、RF サンプリングまたはゼロ IF アナログ・フロント・エンド (AFE) を簡単に入力に接続できます。またこのデバイスは、ポスト・アンプ、表面弾性波 (SAW) フィルタ、パワー・アンプ (PA) と簡単に接続するために必要な 50Ω のシングルエンド出力インピーダンスに内部的に整合されています。

3.3V の単電源で動作するこのデバイスは、アクティブ消費電力が約 395mW (標準値) であるため、高密度 5G Massive MIMO アプリケーションに適しています。また、このデバイスは省スペースの 2mm × 2mm、12 ピン QFN パッケージで供給されます。このデバイスは最高 105℃の動作温度で定格が規定されているため、堅牢なシステム設計が可能です。時分割複信 (TDD) システムに適した、デバイスの高速な電源オン/ オフに利用できる 1.8V JEDEC 準拠のパワー・ダウン・ピンを備えています。

LMH9135 は、3.2~4.2GHz の周波数帯域をサポートする、高性能、シングル・チャネル、差動入力シングルエンド出力、送信無線周波数 (RF) ゲイン・ブロック・アンプです。このデバイスは、パワー・アンプ (PA) の入力を駆動すると同時に、次世代 5G アクティブ・アンテナ・システム (AAS) またはスモール・セル・アプリケーションの要件をサポートできます。この RF アンプは、18dB (標準値) のゲインと +31.5dBm の出力 IP3 という優れた直線性を備えている一方、1dB 帯域幅全体にわたって 4dB 未満のノイズ指数を維持します。このデバイスは、100Ω の差動入力インピーダンスに対して内部的に整合されているため、RF サンプリングまたはゼロ IF アナログ・フロント・エンド (AFE) を簡単に入力に接続できます。またこのデバイスは、ポスト・アンプ、表面弾性波 (SAW) フィルタ、パワー・アンプ (PA) と簡単に接続するために必要な 50Ω のシングルエンド出力インピーダンスに内部的に整合されています。

3.3V の単電源で動作するこのデバイスは、アクティブ消費電力が約 395mW (標準値) であるため、高密度 5G Massive MIMO アプリケーションに適しています。また、このデバイスは省スペースの 2mm × 2mm、12 ピン QFN パッケージで供給されます。このデバイスは最高 105℃の動作温度で定格が規定されているため、堅牢なシステム設計が可能です。時分割複信 (TDD) システムに適した、デバイスの高速な電源オン/ オフに利用できる 1.8V JEDEC 準拠のパワー・ダウン・ピンを備えています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMH9135 バラン内蔵 3.2~4.2GHz 差動〜シングルエンド・アンプ データシート 英語版 PDF | HTML 2020年 8月 21日
証明書 LMH9135RRLEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 5月 15日
EVM ユーザー ガイド (英語) LMH9135 Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 2020年 4月 2日

設計と開発

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評価ボード

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シミュレーション・モデル

LMH9135 S-parameter Models

SBOMB71.ZIP (15 KB) - S-Parameter Model
パッケージ ピン数 ダウンロード
WQFN (RRL) 12 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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