TLV2313 TLVx313 1MHz、マイクロパワー、RRIO、CMOS オペ・アンプ | TIJ.co.jp

TLV2313
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TLVx313 1MHz、マイクロパワー、RRIO、CMOS オペ・アンプ

 

Recommended alternative device

For lower Vos (1.6mV) and faster slew rate (2V/µs) for cost sensitive applications, see the pin-to-pin CMOS op amp TLV9002

概要

TLV313ファミリは1、2、4チャネルの高精度オペアンプで、低消費電力と優れた性能を実現しています。このため、ウェアラブル機器、公共事業の計量、ビルディング・オートメーション、貨幣計数機など広範なアプリケーションに適しています。このファミリはレール・ツー・レール入出力(RRIO)、低い静止電流(標準値65µA)、広い帯域幅(1MHz)、非常に低いノイズ(1kHzにおいて26nV/√Hz)という特長があるため、コストと性能の適切なバランスが必要な各種のバッテリ駆動アプリケーションに最適です。さらに、入力バイアス電流が低いため、これらのデバイスはソース・インピーダンスがメガオーム単位のアプリケーションでも使用できます。

TLV313デバイスは堅牢に設計されており、150pFまでの容量性負荷に対するユニティ・ゲイン安定性、RF/EMI除去フィルタの搭載、オーバードライブ状態で位相反転が発生しない、高い静電放電(ESD)保護(4kV HBM)といった特長があるため、回路設計が容易です。

これらのデバイスは、最低+1.8V (±0.9V)、最大+5.5V (±2.75V)の電圧で動作するよう最適化されており、拡張温度範囲の-40℃~+125℃が定格内です。

1チャネルのTLV313デバイスは、SC70-5とSOT23-5の両方のパッケージで供給されます。2チャネルのTLV2313デバイスはSOIC-8およびVSSOP-8パッケージで、4チャネルのTLV4313デバイスはTSSOP-14パッケージで供給されます。

特長

  • 低コストのシステム用の高精度アンプ
  • 低いIQ: 65µA/ch
  • 広い電源電圧範囲: 1.8V~5.5V
  • 低ノイズ: 1kHz時に26nV/√Hz
  • ゲイン帯域幅: 1MHz
  • レール・ツー・レール入出力
  • 低い入力バイアス電流: 1pA
  • 低いオフセット電圧: 0.75mV
  • ユニティ・ゲインで安定
  • 内部RF/EMIフィルタ
  • 拡張温度範囲:
    –40℃~+125℃

All trademarks are the property of their respective owners.

機能一覧

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Part number オーダー・オプション Number of channels (#) Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) GBW (Typ) (MHz) Slew rate (Typ) (V/us) Rail-to-rail Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Offset drift (Typ) (uV/C) Features Input bias current (Max) (pA) CMRR (Typ) (dB) Output current (Typ) (mA) Architecture
TLV2313 ご注文 2     1.8     5.5     1     0.5     In
Out    
3     0.065     26     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
VSSOP | 8    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)    
2     Cost Optimized
EMI Hardened    
  85     15     CMOS    
OPA2313 ご注文 2     1.8     5.5     1     0.5     In
Out    
2.5     0.05     25     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
SON | 8
VSSOP | 8    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8SON: 9 mm2: 3 x 3 (SON | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)    
2     EMI Hardened
Small Size    
10     80     15     CMOS    
TLV9002 ご注文 2     1.8     5.5     1     2     In
Out    
1.5     0.06     30     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
SOT-23-THIN | 8
TSSOP | 8
VSSOP | 10
VSSOP | 8
WSON | 8
X2QFN | 10    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8SOT-23-THIN: 8 mm2: 2.8 x 2.9 (SOT-23-THIN | 8)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3 (TSSOP | 8)
10VSSOP: 9 mm2: 3 x 3 (VSSOP | 10)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)
8WSON: 4 mm2: 2 x 2 (WSON | 8)
10X2QFN: 3 mm2: 2 x 1.5 (X2QFN | 10)    
0.6     Cost Optimized
EMI Hardened
Shutdown
Small Size    
  90     40     CMOS    
TLV9062 ご注文 2     1.8     5.5     10     6.5     In
Out    
1.6     0.538     16     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
SOT-23-THIN | 8
TSSOP | 8
VSSOP | 10
VSSOP | 8
WSON | 8
X2QFN | 10    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8SOT-23-THIN: 8 mm2: 2.8 x 2.9 (SOT-23-THIN | 8)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3 (TSSOP | 8)
10VSSOP: 9 mm2: 3 x 3 (VSSOP | 10)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)
8WSON: 4 mm2: 2 x 2 (WSON | 8)
10X2QFN: 3 mm2: 2 x 1.5 (X2QFN | 10)    
0.53     Cost Optimized
EMI Hardened
Shutdown
Small Size    
  103     50     CMOS