TPD4EUSB30

アクティブ

4 チャネル、ESD ソリューション、SuperSpeed(6GBPS)USB 3.0 インターフェイス用

トップ

製品の詳細

パラメータ

Number of channels (#) 4 IO capacitance (Typ) (pF) 0.8 Vrwm (V) 5.5 IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) 8 IEC 61000-4-5 (A) 5 Features Bi-/uni-directional Uni-Directional IO leakage current (Max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 85 Dynamic resistance (Typ) (Ω) 0.6 Clamping voltage (V) 8 open-in-new その他の ESD 保護ダイオードと TVS(過渡電圧サプレッサ)サージ・ダイオード

パッケージ|ピン|サイズ

USON (DQA) 10 3 mm² 2.5 x 1 open-in-new その他の ESD 保護ダイオードと TVS(過渡電圧サプレッサ)サージ・ダイオード

特長

  • Supports USB 3.0 Data Rates (5 Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD Protection (Level 4 Contact)
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 5 A (8/20 µs)
  • Low Capacitance
    • DRT: 0.7 pF (Typ)
    • DQA: 0.8 pF (Typ)
  • Dynamic Resistance: 0.6 Ω (Typ)
  • Space-Saving DRT, DQA Packages
  • Flow-Through Pin Mapping
open-in-new その他の ESD 保護ダイオードと TVS(過渡電圧サプレッサ)サージ・ダイオード

概要

The TPD2EUSB30, TPD2EUSB30A, and TPD4EUSB30 are 2 and 4 channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode arrays. The TPDxEUSB30/A devices are rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Contact). These devices also offer 5 A (8/20 µs) peak pulse current ratings per IEC 61000-4-5 (Surge) specification.

The TPD2EUSB30A offers low 4.5-V DC break-down voltage. The low capacitance, low break-down voltage, and low dynamic resistance make the TPD2EUSB30A a superior protection device for high-speed differential IOs.

The TPD2EUSB30 and TPD2EUSB30A are offered in space saving DRT (1 mm × 1 mm) package. The TPD4EUSB30 is offered in space saving DQA (2.5 mm × 1.0 mm) package.

open-in-new その他の ESD 保護ダイオードと TVS(過渡電圧サプレッサ)サージ・ダイオード
ダウンロード

技術資料

= 主要な資料
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。 すべて表示 6
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート TPDxEUSB30 2-, 4-Channel ESD Protection for Super-Speed USB 3.0 Interface データシート 2015年 10月 13日
ユーザー・ガイド Generic ESD Evaluation Module User's Guide 2018年 4月 3日
ホワイト・ペーパー Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016年 2月 10日
アプリケーション・ノート ESD Layout Guide 2015年 3月 4日
アプリケーション・ノート Design considerations for system-level ESD circuit protection 2012年 9月 25日
アプリケーション・ノート Reading and Understanding an ESD Protection Datasheet 2010年 5月 19日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$10.00
概要
Texas Instrument's ESDEVM evaluation module allows the evaluation of most of TI's ESD portfolio. The board comes with all traditional ESD footprints in order to be able to test any number of devices. Devices that need to be tested can be soldered onto their respect footprint and then tested. For the (...)
特長
  • Allows testing of most TI ESD devices
  • Many footprints to allow testing of each part
  • S-parameter testing for signal integrity

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・ツール ダウンロード

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
USON (DQA) 10 オプションの表示

購入と品質

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

トレーニング・シリーズ

TI のトレーニングとビデオをすべて表示

ビデオ

関連ビデオ