TPD4EUSB30

Name: TPD4EUSB30
Brand: TI
SKU: TPD4EUSB30
Price: .21 USD

アクティブ

購入

SuperSpeed (6Gbps) USB 3.0 インターフェイス向け、4 チャネル ESD ソリューション

データシート

TPDxEUSB30 2-, 4-Channel ESD Protection for Super-Speed USB 3.0 Interface データシート (英語)

|

オンラインデータシート

製品の詳細

パラメータ

Number of channels (#)

4

IO capacitance (Typ) (pF)

0.8

Vrwm (V)

5.5

IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)

8

IEC 61000-4-5 (A)

5

Features

—

Bi-/uni-directional

Uni-Directional

IO leakage current (Max) (nA)

100

Rating

Catalog

Operating temperature range (C)

-40 to 85

Dynamic resistance (Typ) (Ω)

0.6

Clamping voltage (V)

8

open-in-new

その他の ESD 保護ダイオードと TVS（過渡電圧サプレッサ）サージ・ダイオード

パッケージ｜ピン｜サイズ

USON (DQA)

10

3 mm² 2.5 x 1

open-in-new

その他の ESD 保護ダイオードと TVS（過渡電圧サプレッサ）サージ・ダイオード

特長

Supports USB 3.0 Data Rates (5 Gbps)
IEC 61000-4-2 ESD Protection (Level 4 Contact)
IEC 61000-4-5 Surge Protection
- 5 A (8/20 µs)
Low Capacitance
- DRT: 0.7 pF (Typ)
- DQA: 0.8 pF (Typ)
Dynamic Resistance: 0.6 Ω (Typ)
Space-Saving DRT, DQA Packages
Flow-Through Pin Mapping

open-in-new

その他の ESD 保護ダイオードと TVS（過渡電圧サプレッサ）サージ・ダイオード

The TPD2EUSB30, TPD2EUSB30A, and TPD4EUSB30 are 2 and 4 channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode arrays. The TPDxEUSB30/A devices are rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Contact). These devices also offer 5 A (8/20 µs) peak pulse current ratings per IEC 61000-4-5 (Surge) specification.

The TPD2EUSB30A offers low 4.5-V DC break-down voltage. The low capacitance, low break-down voltage, and low dynamic resistance make the TPD2EUSB30A a superior protection device for high-speed differential IOs.

The TPD2EUSB30 and TPD2EUSB30A are offered in space saving DRT (1 mm × 1 mm) package. The TPD4EUSB30 is offered in space saving DQA (2.5 mm × 1.0 mm) package.

open-in-new

その他の ESD 保護ダイオードと TVS（過渡電圧サプレッサ）サージ・ダイオード

ダウンロード

技術資料

= TI が選択したこの製品の主要ドキュメント

結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。

すべて表示 6

	種類	タイトル	日付
*	データシート	TPDxEUSB30 2-, 4-Channel ESD Protection for Super-Speed USB 3.0 Interface データシート	2015年 10月 13日
	ユーザー・ガイド	Generic ESD Evaluation Module User's Guide	2018年 4月 3日
	ホワイト・ペーパー	Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments	2016年 2月 10日
	アプリケーション・ノート	ESD Layout Guide	2015年 3月 4日
	アプリケーション・ノート	Design considerations for system-level ESD circuit protection	2012年 9月 25日
	アプリケーション・ノート	Reading and Understanding an ESD Protection Datasheet	2010年 5月 19日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板ダウンロード

汎用 ESD の評価モジュール

ESDEVM

document-generic

ユーザー・ガイド

10

概要

Texas Instrument's ESDEVM evaluation module allows the evaluation of most of TI's ESD portfolio. The board comes with all traditional ESD footprints in order to be able to test any number of devices. Devices that need to be tested can be soldered onto their respect footprint and then tested. For the (...)

特長

Allows testing of most TI ESD devices
Many footprints to allow testing of each part
S-parameter testing for signal integrity

詳細を表示

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・ツールダウンロード

PSpice® for TI design and simulation tool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを活用して、複雑なミックスド・シグナル設計のシミュレーションを実施することができます。完成度の高い最終機器を設計し、レイアウトの確定や製造開始より前に、ソリューションのプロトタイプを製作することができます。この結果、市場投入期間の短縮と開発コストの削減を実現できます。

設計とシミュレーション向けのツールである PSpice for TI の環境内で、各種 TI デバイスの検索、製品ラインアップの参照、テスト・ベンチの起動、設計のシミュレーションを実施し、選定したデバイスをさらに分析することができます。また、複数の TI デバイスを組み合わせてシミュレーションを実行することもできます。

事前ロード済みの複数のモデルで構成されたライブラリ全体に加えて、PSpice for TI ツール内で各種 TI デバイスの最新の技術関連資料に簡単にアクセスすることもできます。開発中のアプリケーションに適したデバイスを選定できたことを確認した後、TI 製品の購入ページにアクセスして、その製品を購入することができます。

PSpice for TI を使用すると、回路の検討から設計の開発や検証まで、作業の進展に合わせて設計サイクルの各段階で、シミュレーションのニーズに適した各種ツールにアクセスできます。コスト不要で入手でき、開発を容易に開始できます。設計とシミュレーションに適した PSpice スイートをダウンロードして、今すぐ設計を開始してください。

開発の開始