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TPS2052B

アクティブ

アクティブ・ハイ、2 チャネル、0.5A 負荷、2.7 ~ 5.5V、70mΩ USB パワー・スイッチ

製品詳細

Product type Fixed current limit, Power switch Vin (min) (V) 2.7 Vin (max) (V) 5.5 Continuous current (max) (A) 0.5 Current limit (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Enable Active High Number of switches 2 Current limit accuracy at 1 A 0.25 Rating Catalog
Product type Fixed current limit, Power switch Vin (min) (V) 2.7 Vin (max) (V) 5.5 Continuous current (max) (A) 0.5 Current limit (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Enable Active High Number of switches 2 Current limit accuracy at 1 A 0.25 Rating Catalog
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 70mΩ のハイサイド MOSFET
  • 500mA の連続電流
  • 過熱および短絡保護
  • 正確な電流制限 (最小 0.75A、最大 1.25A)
  • 動作範囲:2.7V~5.5V
  • 0.6ms の標準立ち上がり時間
  • 低電圧誤動作防止
  • デグリッチ・フォルト・レポート ( OC)
  • 電源投入時の OC グリッチなし
  • スタンバイ時の最大電源電流: 1µA (シングル、デュアル) または 2µA (トリプル、クワッド)
  • 周囲温度範囲:-40℃~85℃
  • UL レコグナイズド、ファイル番号 E169910
  • 一括構成用の TPS2042B および TPS2052B について追加の UL レコグニションを取得
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  • デグリッチ・フォルト・レポート ( OC)
  • 電源投入時の OC グリッチなし
  • スタンバイ時の最大電源電流: 1µA (シングル、デュアル) または 2µA (トリプル、クワッド)
  • 周囲温度範囲:-40℃~85℃
  • UL レコグナイズド、ファイル番号 E169910
  • 一括構成用の TPS2042B および TPS2052B について追加の UL レコグニションを取得

TPS20xxB パワー・ディストリビューション・スイッチは、大きな容量性負荷があり、短絡が発生しやすいアプリケーションを対象としています。これらのデバイスは、複数のパワー・スイッチを 1 つのパッケージに搭載する必要があるパワー・ディストリビューション・システム向けに、70mΩ の N チャネル MOSFET パワー・スイッチを内蔵しています。各スイッチは、ロジック・イネーブル入力によって制御されます。ゲート・ドライブは、内部チャージ・ポンプによって供給され、スイッチング中の電流サージを最小限に抑えるために、パワー・スイッチの立ち上がり時間と立ち下がり時間を制御するように設計されています。チャージ・ポンプには外付け部品が不要で、最低 2.7V の電源で動作できます。

出力負荷が電流制限スレッショルドを超えた場合、または短絡が存在する場合、デバイスは定電流モードに切り替えて過電流 ( OCx) ロジック出力を Low にすることで、出力電流を安全なレベルに制限します。連続的に大きな過負荷と短絡が発生すると、スイッチの消費電力が増加し、接合部温度が上昇すると、熱保護回路によってスイッチがシャットオフされ、損傷を防止します。デバイスの温度が十分に低下すると、自動的にサーマル・シャットダウンからの回復が行われます。内部回路により、有効な入力電圧が印加されるまでスイッチがオフに維持されます。このパワー・ディストリビューション・スイッチは、電流制限を 1A (標準値) に設定するように設計されています。

TPS20xxB パワー・ディストリビューション・スイッチは、大きな容量性負荷があり、短絡が発生しやすいアプリケーションを対象としています。これらのデバイスは、複数のパワー・スイッチを 1 つのパッケージに搭載する必要があるパワー・ディストリビューション・システム向けに、70mΩ の N チャネル MOSFET パワー・スイッチを内蔵しています。各スイッチは、ロジック・イネーブル入力によって制御されます。ゲート・ドライブは、内部チャージ・ポンプによって供給され、スイッチング中の電流サージを最小限に抑えるために、パワー・スイッチの立ち上がり時間と立ち下がり時間を制御するように設計されています。チャージ・ポンプには外付け部品が不要で、最低 2.7V の電源で動作できます。

出力負荷が電流制限スレッショルドを超えた場合、または短絡が存在する場合、デバイスは定電流モードに切り替えて過電流 ( OCx) ロジック出力を Low にすることで、出力電流を安全なレベルに制限します。連続的に大きな過負荷と短絡が発生すると、スイッチの消費電力が増加し、接合部温度が上昇すると、熱保護回路によってスイッチがシャットオフされ、損傷を防止します。デバイスの温度が十分に低下すると、自動的にサーマル・シャットダウンからの回復が行われます。内部回路により、有効な入力電圧が印加されるまでスイッチがオフに維持されます。このパワー・ディストリビューション・スイッチは、電流制限を 1A (標準値) に設定するように設計されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS20xxB 電流制限、パワー・ディストリビューション・スイッチ データシート (Rev. N 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.N) PDF | HTML 2023年 8月 1日
証明書 US-36986-UL Certificate of Compliance IEC 62368-1 2021年 3月 12日
EVM ユーザー ガイド (英語) Two-Channel, Power-Distribution Switch EVM (Rev. A) 2012年 6月 1日

設計と開発

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パッケージ ピン数 ダウンロード
HVSSOP (DGN) 8 オプションの表示
SOIC (D) 8 オプションの表示
VSON (DRB) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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