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パラメータ

DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 Control mode Current Mode, D-CAP Iout VDDQ (Max) (A) 25 Iout VTT (Max) (A) 3 Iq (Typ) (mA) 0.8 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 28 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 85 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

パッケージ|ピン|サイズ

HTSSOP (PWP) 20 42 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

特長

  • 同期整流バック・コントローラ(VDDQ)
    • 広い入力電圧範囲: 3.0V~28V
    • 100ns負荷ステップ応答を実現するD−CAP™モード
    • 電流モードを選択することによりセラミック出力コンデンサに対応
    • S4/S5状態のソフトオフに対応
    • RDS(on)または抵抗による電流検知
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)、
      1.5Vまでの可変(DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3およびDDR4)または
      出力範囲0.75V~3.0V
    • パワー・グッド、過電圧保護、低電圧保護機能
  • 3A LDO (VTT)、バッファ付き基準電圧(VREF)
    • 3Aのシンク/ソース可能
    • 電力損失の最適化に利用可能なLDO入力
    • 最小出力容量20µF (セラミック)
    • 低ノイズ、バッファ付きの10mA出力電流
    • 精度±20mV (VREF/VTT)
    • ハイ・インピーダンス(S3)およびソフトオフ(S4/S5)に対応
    • サーマル・シャットダウン

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open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

概要

TPS51116は、DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3、およびDDR4メモリ・システムに完全準拠した電源を提供します。本製品は、同期整流バック・コントローラ、3Aのシンク/ソース・トラッキング・リニア・レギュレータ、低ノイズのバッファ付き基準電圧を内蔵しています。TPS51116は小型、低コストが要求されるシステムに最適です。TPS51116の同期式コントローラは、アダプティブ・オンタイム・コントロール方式を用いた固定の400kHz擬似定周波数PWMで動作し、使い易さと高速過渡応答を優先した D-CAP™モード、またはセラミック出力コンデンサに対応する電流モードで構成することができます。3Aシンク/ソースのLDOは出力容量としてわずか20µF (2×10µF)のセラミック・コンデンサを用いるだけで高速な過渡応答を実現します。さらに、LDO電源入力を外部から取り入れて総電力損失を大きく低減することが可能です。TPS51116は、すべてのスリープ状態制御に対応しており、S3状態(RAMへのサスペンド)ではVTT出力をハイ・インピーダンスにし、S4/S5状態(ディスクへのサスペンド)ではVDDQ、VTT、VTTREFを放電してオフにします(ソフトオフ)。TPS51116はサーマル・シャットダウンを含むすべての保護機能を内蔵しており、20ピンHTSSOP PowerPAD™パッケージと24ピン4×4 QFNで供給されます。

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート TPS51116 DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4完全準拠パワー・ソリューション同期整流バック・コントローラ、3A LDO、バッファ付き基準電圧 データシート (Rev. J 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.J) 2018年 1月 25日
アプリケーション・ノート DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) 2020年 7月 9日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.R) 2018年 9月 13日
セレクション・ガイド Control-Mode Quick Reference Guide (Rev. A) 2017年 9月 14日
技術記事 Design advantage of D-CAP control topology 2017年 4月 13日
技術記事 D-CAP3 – A sequel better than the original 2015年 5月 7日
技術記事 Power Tips - DDR memory is everywhere! 2014年 3月 1日
その他の技術資料 Computing DDR DC-DC Power Solutions 2012年 8月 22日
アプリケーション・ノート Intel Core i3, i5, i7 Reference Design 2010年 7月 21日
アプリケーション・ノート Intel EP80579 Tolopai System-on-Chip Reference Design 2010年 7月 21日
技術記事 Embedded Computers with TI Power in a myriad of applications 2010年 5月 15日
アプリケーション・ノート 12Vin design using Digital Power Controllers and LDOs (8x C6472) 2010年 4月 28日
アプリケーション・ノート Power two Xilinx 6 LX240 Virtex 6 devices 2010年 4月 20日
アプリケーション・ノート 5V input power design, Integrated FET DCDC Converters (1x C6472) 2010年 3月 31日
アプリケーション・ノート 12V input power design, DCDC Controllers + LDO's for the C6472 2010年 3月 26日
アプリケーション・ノート 12Vin Flexible Power Design using DCDC Controllers and LDOs (8x C6472) 2010年 3月 26日
アプリケーション・ノート 5V input power design, Integrated FET DCDC Converters and Controllers (8x C6472) 2010年 3月 26日
ユーザー・ガイド Using the TPS51116 (Rev. A) 2008年 11月 12日
アプリケーション・ノート Power Reference Design for Altera Cyclone III Starter Kit 2008年 3月 27日
アプリケーション・ノート DDR2 Power Solutions for Notebooks 2004年 5月 24日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価ボード ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
49
概要

The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to (...)

特長
  • Up to 85% efficiency on the VDDQ switching regulator output
  • Dual switching regulator / LDO output for both DDR core and termination voltages
  • ± 3 A sink/source termination voltage LDO regulator
  • 10 mA termination reference voltage for DDR input reference
  • User selectable DDR and DDRII or externally referenced (...)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLIM076B.ZIP (101 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM166.TSC (224 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM167.ZIP (58 KB) - TINA-TI Spice Model

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
DDR または DDR2 メモリ・アプリケーション向けの包括的な電源ソリューション
PMP1516 この DDR リファレンス・デザインは、2.5V@6A の VDDQ および 1.25V の VTT を実現します。2.5V の同期整流・降圧コンバータにより 92% の高効率を実現し、また、1.25V では、内蔵 LDO の実装により面積を最小限に抑え、優れたトラッキング性能を提供します。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド
リファレンス・デザイン ダウンロード
Altera Cyclone III
PMP2543 The Cyclone III power management design is a complete, non-isolated power solution and provides all 5 required rails for powering the FPGA. The design also includes complete power solutions for DDR Memory VTT and VDDQ rails and USB power. This design is optimized to power the Altera 3C25F324 starter (...)
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド
設計ファイル
リファレンス・デザイン ダウンロード
リファレンス・デザイン ダウンロード
シングル・チップ DDR3 電源、TPS51116 使用
PMP3130 — PMP3130 では、TPS51116 を使用して DDR3 用の電源電圧である VDDQ と VTT を生成します。VDDQ 電源電圧はシングル・セル・リチウムイオン・バッテリから、同期整流・降圧コンバータを使用して、1.5V、4A として生成されます。VTT 電源電圧は、1.5V 入力から 1 個の LDO を使用して生成され、0.75V の出力電圧で最大 3A の負荷電流を供給します。TPS51116 は、低消費電力のスキップ・モードで動作するように設計されており、ポータブル・アプリケーションで軽負荷時に高い効率を維持します。
設計ファイル

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
HTSSOP (PWP) 20 オプションの表示
VQFN (RGE) 24 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

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