DDR2/3/3L/4 メモリ電源ソリューション同期整流降圧コントローラ、2A LDO、バッファード・リファレンス




DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 Control mode D-CAP, S4/S5 Iout VDDQ (Max) (A) 20 Iout VTT (Max) (A) 2 Iq (Typ) (mA) 0.6 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 28 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 85 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC


WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC


  • Synchronous Buck Controller (VDDQ)
    • Conversion Voltage Range: 3 V to 28 V
    • Output Voltage Range: 0.7 V to 1.8 V
    • 0.8% VREF Accuracy
    • D-CAP™ Mode for Fast Transient Response
    • Selectable 300 kHz/400 kHz Switching Frequencies
    • Optimized Efficiency at Light and Heavy Loads with Auto-skip Function
    • Supports Soft-Off in S4/S5 States
    • OCL/OVP/UVP/UVLO Protections
    • Powergood Output
  • 2-A LDO(VTT), Buffered Reference(VTTREF)
    • 2-A (Peak) Sink and Source Current
    • Requires Only 10-μF of Ceramic Output Capacitance
    • Buffered, Low Noise, 10-mA VTTREF Output
    • 0.8% VTTREF, 20-mV VTT Accuracy
    • Support High-Z in S3 and Soft-Off in S4/S5
  • Thermal Shutdown
  • 20-Pin, 3 mm × 3 mm, QFN Package
    • DDR2/DDR3/DDR3L Memory Power Supplies
    • SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135 and HSTL Termination

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The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, a dedicated LDO supply input is available.

The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(on) sensing, OVP/UVP/UVLO and thermal shutdown protections are also available.

The TPS51216 is available in a 20-pin, 3 mm × 3 mm, QFN package and is specified for ambient temperature from –40°C to 85°C.

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート COMPLETE DDR2, DDR3 AND DDR3L MEMORY POWER SOLUTION データシート (Rev. A) 2013年 4月 4日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.R) 2018年 9月 13日
技術記事 Power Tips - DDR memory is everywhere! 2014年 3月 1日
その他の技術資料 Computing DDR DC-DC Power Solutions 2012年 8月 22日




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document-generic ユーザー・ガイド

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シミュレーション・モデル ダウンロード
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シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM459.TSC (648 KB) - TINA-TI Reference Design


リファレンス・デザイン ダウンロード
Intel Core i3、i5、i7 Arrandale SV 向け同期整流降圧(1.8V@1A)
PMP5783 — PMP5783 は、Intel IMVP6.5 Arrandale SV/Clarksfield SV 用の包括的な電源のリファレンス・デザインです。Vin は 8 ~ 15V です。メイン CPU は、2 フェーズの TPS59621 から電力を供給されます。TPS59611 は、グラフィックス・プロセッサに電力を供給します。DDR3 メモリは、TPS5126 から電力を供給されます。1.05V は両方とも、TPS51218 から電力を供給されます。デュアル TPS51125A は、5V と 3.3V の電力を供給します。上記のパワー・トレイン(電力供給源)のそれぞれは、NexFET である CSD86350 をデュアルで使用しています。TPS62290 は、1.8V の電力を供給します。
リファレンス・デザイン ダウンロード
3 ~ 4.2Vin、1.35Vout @ 4A、DDR3 LV、TPS51216 を使用
PMP6807 PMP6807 リファレンス・デザインは、TPS51216 を使用し、低電圧の DDR3 電源を生成します。VDDQ の供給電圧は 1.35V、容量は 4A です。VTT 電源は容量 0.5A のソース/シンク LDO を使用して生成します。また、高性能コンパクト MOSFET(CSD17313Q2)の採用により、ほとんどの負荷範囲にわたって 90% 超の効率を実現しています。

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
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  • RoHS
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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