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TPS51916

アクティブ

DDR2/3/3L/4 メモリ電源ソリューション、同期整流降圧コントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Iq (typ) (mA) 0.6 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Iq (typ) (mA) 0.6 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3
  • 同期整流降圧コントローラ(VDDQ)
    • 変換電圧範囲:3V~28V
    • 出力電圧範囲: 0.7V~1.8V
    • 0.8% の VREF 精度
    • 制御アーキテクチャを選択可能
      • D-CAP™モードでの高速過渡応答
      • D-CAP2™モードではセラミック出力コンデンサに対応
    • 300kHz、400kHz、500kHz、670kHz のスイッチング周波数を選択可能
    • 自動スキップ機能により軽負荷と重負荷の両方で効率を最適化
    • S4/S5 状態のソフト・オフに対応
    • OCL、OVP、UVP、UVLO 保護機能
    • パワー・グッド出力
  • 2A LDO (VTT)、バッファ付き基準電圧 (VTTREF)
    • 2A (ピーク) のシンクおよびソース電流
    • 低ノイズ、バッファ付きの 10mA VTTREF 出力
    • 0.8% VTTREF、20mV VTT 精度
    • 高インピーダンス (S3) およびソフト・オフ (S4、S5) に対応
  • サーマル・シャットダウン
  • 20 ピン、3mm × 3mm の QFN パッケージ
  • WEBENCH デザインを作成
  • 同期整流降圧コントローラ(VDDQ)
    • 変換電圧範囲:3V~28V
    • 出力電圧範囲: 0.7V~1.8V
    • 0.8% の VREF 精度
    • 制御アーキテクチャを選択可能
      • D-CAP™モードでの高速過渡応答
      • D-CAP2™モードではセラミック出力コンデンサに対応
    • 300kHz、400kHz、500kHz、670kHz のスイッチング周波数を選択可能
    • 自動スキップ機能により軽負荷と重負荷の両方で効率を最適化
    • S4/S5 状態のソフト・オフに対応
    • OCL、OVP、UVP、UVLO 保護機能
    • パワー・グッド出力
  • 2A LDO (VTT)、バッファ付き基準電圧 (VTTREF)
    • 2A (ピーク) のシンクおよびソース電流
    • 低ノイズ、バッファ付きの 10mA VTTREF 出力
    • 0.8% VTTREF、20mV VTT 精度
    • 高インピーダンス (S3) およびソフト・オフ (S4、S5) に対応
  • サーマル・シャットダウン
  • 20 ピン、3mm × 3mm の QFN パッケージ
  • WEBENCH デザインを作成

TPS51916 デバイスは、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 メモリ・システム用の完全な電源を、最低限の総コストと最小限の容積で実現します。同期整流降圧レギュレータ・コントローラ (VDDQ) と、2A シンクおよび 2A ソースのトラッキング LDO (VTT) およびバッファ付きの低ノイズ基準電圧 (VTTREF) が内蔵されています。

このデバイスには 2 つのモードがあります。D-CAP™ モードでは、300kHz または 400kHz の周波数と組み合わせることで、使いやすさと高速な過渡応答を実現し、D-CAP2™ モードでは、500kHz または 670kHz の周波数と組み合わせることで、外部補償回路を使わずにセラミック出力コンデンサに対応します。VTTREF は、VDDQ/2 を 0.8% という非常に優れた精度でトラッキングします。VTT は 2A シンクおよび 2A ソースのピーク電流能力を持ち、10µF のセラミック容量のみで動作します。専用の LDO 電源入力が利用可能です。

.

また、このデバイスは電源性能が非常に優れています。柔軟な電力状態制御があり、S3 では VTT を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDDQ、VTT、VTTREF を放電します (ソフト・オフ)。プログラム可能な OCL とローサイド MOSFET RDS(on) センシング、OVP、UVP、UVLO、サーマル・シャットダウン保護機能も利用できます。

TPS51916 デバイスは、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 メモリ・システム用の完全な電源を、最低限の総コストと最小限の容積で実現します。同期整流降圧レギュレータ・コントローラ (VDDQ) と、2A シンクおよび 2A ソースのトラッキング LDO (VTT) およびバッファ付きの低ノイズ基準電圧 (VTTREF) が内蔵されています。

このデバイスには 2 つのモードがあります。D-CAP™ モードでは、300kHz または 400kHz の周波数と組み合わせることで、使いやすさと高速な過渡応答を実現し、D-CAP2™ モードでは、500kHz または 670kHz の周波数と組み合わせることで、外部補償回路を使わずにセラミック出力コンデンサに対応します。VTTREF は、VDDQ/2 を 0.8% という非常に優れた精度でトラッキングします。VTT は 2A シンクおよび 2A ソースのピーク電流能力を持ち、10µF のセラミック容量のみで動作します。専用の LDO 電源入力が利用可能です。

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また、このデバイスは電源性能が非常に優れています。柔軟な電力状態制御があり、S3 では VTT を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDDQ、VTT、VTTREF を放電します (ソフト・オフ)。プログラム可能な OCL とローサイド MOSFET RDS(on) センシング、OVP、UVP、UVLO、サーマル・シャットダウン保護機能も利用できます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS51916 DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 用の完全なメモリ電源ソリューション 同期整流降圧コントローラ、2A LDO、バッファ付き基準電圧 データシート (Rev. F 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.F) PDF | HTML 2020年 1月 31日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日
その他の技術資料 Computing DDR DC-DC Power Solutions 2012年 8月 22日
ユーザー・ガイド TPS51916EVM-746 User's Guide 2011年 8月 19日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS51916EVM-746 — Evaluation Module for TPS51916 DDR2, DDR3 & DDR3L Memory Power Solution Synchronous Buck Controller

The TPS51916EVM-746 evaluation module is a fully assembled and tested circuit for evaluating the TPS51916 low-dropout (LDO) regulator. The TPS51916 provides a complete power supply for DDR2, DDR3, DDR3L and DDR4 memory system in the lowest total cost and minimum space. The TPS51916 integrates a (...)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

TPS51916 PSpice Transient Model

SLUM206.ZIP (80 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

TPS51916 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM265.TSC (253 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

TPS51916 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM266.ZIP (78 KB) - TINA-TI Spice Model
リファレンス・デザイン

PMP5922 — Intel Atom E6xx Tunnel Creek 向け同期整流降圧(1.25V@10mA)

PMP5922 は、3.3V/5VIN の入力を受け入れる、Intel Atom Tunnel Creek 用の包括的な電源システムです。コア電圧を供給するために、TPS59610 コントローラと、デュアルの CSD86330Q3D MOSFET を使用しています。1.2V の IOH では TPS53311 コンバータ、DDR2 メモリでは TPS51916 コンバータ、1.05V の I/O では TPS53219 コントローラとデュアル CSD86330Q3D を使用しています。残りの 4 つの低電流出力に関しては、複数の LDO を使用しています。
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00020 — Intel IMVP7 第 2 世代コア・モバイル(Core i7)・パワー・マネージメント・リファレンス・デザイン

Intel® Core i7 向けのこのパワー・マネージメント・デザインは、Intel® IMVP-7 SVID (Serial VID) 電源システムに適したリファレンス・デザインです。このデザインが搭載しているのは、3 相 CPU 電源である IMVP-7、GPU の Vcore 向け単相電源、1.05VCC の IO 電源、DDR3L/DDR4 対応のメモリ電源レールです。電力密度と放熱性能を大幅に向上させるために、5mm x 6mm NEXFET パワー・ブロック MOSFET を使用しています。
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
WQFN (RUK) 20 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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