DDR の VTT 用、0.9V ~ 6V 入力、6A 出力、 D-CAP+ モード、SWIFT 同期整流降圧コンバータ

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製品の詳細

パラメータ

DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 Control mode D-CAP+ Iout VTT (Max) (A) 6 Iq (Typ) (mA) 0.32 Output VREF, VTT Vin (Min) (V) 0.9 Vin (Max) (V) 6 Features Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power Good, Tracking/Non-Tracking Mode Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

パッケージ|ピン|サイズ

VQFN (RGB) 20 14 mm² 4 x 3.5 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC

特長

  • TI-Proprietary Integrated MOSFET and Packaging Technology
  • Supports DDR Memory Termination with up to 6-A Continuous Output Source or Sink Current
  • External Tracking
  • Minimum External Components Count
  • to 6-V Conversion Voltage
  • D-CAP+ Mode Architecture
  • Supports All MLCC Output Capacitors and SP/POSCAP
  • Selectable SKIP Mode or Forced CCM
  • Optimized Efficiency at Light and Heavy Loads
  • Selectable 600-kHz or 1-MHz Switching Frequency
  • Selectable Overcurrent Limit (OCL)
  • Overvoltage, Over-Temperature and Hiccup Undervoltage Protection
  • Adjustable Output Voltage from to 2 V
  • 3.5 mm × 4 mm, 20-Pin, VQFN Package
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概要

The device is a FET-integrated synchronous buck regulator designed mainly for DDR termination. It can provide a regulated output at ½ VDDQ with bothsink and source capability. The device employs D-CAP+ mode operation that provides ease of use, low external component count and fast transient response. The device canalso be used for other point-of-load (POL) regulation applications requiring up to 6 A. Inaddition, the device supports full, 6-A, output sinking current capability with tight voltageregulation.

The device features two switching frequency settings (600 kHz and 1 MHz), integrateddroop support, external tracking capability, pre-bias startup, output soft discharge, integratedbootstrap switch, power good function, V5IN pin UVLO protection, and supports both ceramic andSP/POSCAP capacitors. It supports input voltages up to 6.0 V, and output voltages adjustable from to 2.0 V.

The device is available in the 3.5 mm × 4 mm, 20-pin, VQFNpackage (Green RoHs compliant and Pb free) with TI proprietary Integrated MOSFET and packaging technology and is specified from –40°C to 85°C.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.
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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート TPS53317A 6-A Output, D-CAP+ Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination データシート (Rev. A) 2015年 11月 10日
アプリケーション・ノート Non-isolated point-of-load solutions for VR13.HC in rack server & datacenter app (Rev. A) 2020年 1月 8日
技術記事 Voltage regulator features – inside the black box 2016年 5月 31日
技術記事 Simplifying loop compensation and poles and zeros calculations 2016年 3月 18日
ユーザー・ガイド Using the TPS53317AEVM-726 2015年 11月 18日

設計と開発

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ハードウェア開発

評価ボード ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
49
概要

TPS53317AEVM-726 は、標準的な低電圧アプリケーションで TPS53317A を提示する設計を採用しており、DDR4 環境をシミュレートすると同時に、TPS53317A の性能を評価できるように多数のテスト・ポイントを実装しています。TPS53317AEVM-726 は、1.2V 電圧レールを使用して 0.6V のレギュレーション済み出力電圧を生成し、最大 6A の負荷電流を供給する設計を採用しています。

特長
  • VIN:1.1V ~ 1.3V
  • VOUT:0.6VDC / 6A
  • D-CAP+ テクノロジーを採用した同期整流降圧レギュレータを内蔵
  • 重要な波形のプローブ作業を実施する際に利便性の高いテスト・ポイント

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM499.ZIP (130 KB) - PSpice Model

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
エンタープライズ・イーサネット・スイッチ向け PMBus 電源システムのリファレンス・デザイン
PMP11399 PMP11399 は、ASIC/FPGA の 3 つのコア電圧、DDR3 コア・メモリ電圧、VTT 終端電圧、高性能イーサネット・スイッチで一般的に採用されている補助電圧向けの包括的な PMBus 電源システムです。このハードウェアは、ユーザーがリアルタイムで電源の構成と監視を行うための GUI を備えています。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RGB) 20 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

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