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TPS53317A

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0.9V ～ 6V 入力、6A 出力、 D-CAP+ モード、SWIFT 同期整流降圧コンバータ、DDR の VTT 用

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製品詳細

Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power good, Tracking/Non-Tracking Mode Iq (typ) (mA) 0.32 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power good, Tracking/Non-Tracking Mode Iq (typ) (mA) 0.32 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
VQFN (RGB) 20 14 mm² 4 x 3.5
  • TI-Proprietary Integrated MOSFET and Packaging Technology
  • Supports DDR Memory Termination with up to 6-A Continuous Output Source or Sink Current
  • External Tracking
  • Minimum External Components Count
  • to 6-V Conversion Voltage
  • D-CAP+ Mode Architecture
  • Supports All MLCC Output Capacitors and SP/POSCAP
  • Selectable SKIP Mode or Forced CCM
  • Optimized Efficiency at Light and Heavy Loads
  • Selectable 600-kHz or 1-MHz Switching Frequency
  • Selectable Overcurrent Limit (OCL)
  • Overvoltage, Over-Temperature and Hiccup Undervoltage Protection
  • Adjustable Output Voltage from to 2 V
  • 3.5 mm × 4 mm, 20-Pin, VQFN Package
  • TI-Proprietary Integrated MOSFET and Packaging Technology
  • Supports DDR Memory Termination with up to 6-A Continuous Output Source or Sink Current
  • External Tracking
  • Minimum External Components Count
  • to 6-V Conversion Voltage
  • D-CAP+ Mode Architecture
  • Supports All MLCC Output Capacitors and SP/POSCAP
  • Selectable SKIP Mode or Forced CCM
  • Optimized Efficiency at Light and Heavy Loads
  • Selectable 600-kHz or 1-MHz Switching Frequency
  • Selectable Overcurrent Limit (OCL)
  • Overvoltage, Over-Temperature and Hiccup Undervoltage Protection
  • Adjustable Output Voltage from to 2 V
  • 3.5 mm × 4 mm, 20-Pin, VQFN Package

The device is a FET-integrated synchronous buck regulator designed mainly for DDR termination. It can provide a regulated output at ½ VDDQ with bothsink and source capability. The device employs D-CAP+ mode operation that provides ease of use, low external component count and fast transient response. The device canalso be used for other point-of-load (POL) regulation applications requiring up to 6 A. Inaddition, the device supports full, 6-A, output sinking current capability with tight voltageregulation.

The device features two switching frequency settings (600 kHz and 1 MHz), integrateddroop support, external tracking capability, pre-bias startup, output soft discharge, integratedbootstrap switch, power good function, V5IN pin UVLO protection, and supports both ceramic andSP/POSCAP capacitors. It supports input voltages up to 6.0 V, and output voltages adjustable from to 2.0 V.

The device is available in the 3.5 mm × 4 mm, 20-pin, VQFNpackage (Green RoHs compliant and Pb free) with TI proprietary Integrated MOSFET and packaging technology and is specified from –40°C to 85°C.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

The device is a FET-integrated synchronous buck regulator designed mainly for DDR termination. It can provide a regulated output at ½ VDDQ with bothsink and source capability. The device employs D-CAP+ mode operation that provides ease of use, low external component count and fast transient response. The device canalso be used for other point-of-load (POL) regulation applications requiring up to 6 A. Inaddition, the device supports full, 6-A, output sinking current capability with tight voltageregulation.

The device features two switching frequency settings (600 kHz and 1 MHz), integrateddroop support, external tracking capability, pre-bias startup, output soft discharge, integratedbootstrap switch, power good function, V5IN pin UVLO protection, and supports both ceramic andSP/POSCAP capacitors. It supports input voltages up to 6.0 V, and output voltages adjustable from to 2.0 V.

The device is available in the 3.5 mm × 4 mm, 20-pin, VQFNpackage (Green RoHs compliant and Pb free) with TI proprietary Integrated MOSFET and packaging technology and is specified from –40°C to 85°C.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS53317A 6-A Output, D-CAP+ Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination データシート (Rev. A) PDF | HTML 2015年 11月 10日
アプリケーション・ノート Point-of-Load Solutions for Data Center App Implementing VR13.HC Vccin Spec (Rev. A) PDF | HTML 2020年 1月 8日
技術記事 Voltage regulator features – inside the black box PDF | HTML 2016年 5月 31日
技術記事 Simplifying loop compensation and poles and zeros calculations PDF | HTML 2016年 3月 18日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the TPS53317AEVM-726 2015年 11月 18日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS53317AEVM-726 — 評価モジュール、TPS53317A 同期整流降圧コンバータ、DDR VTT 用

TPS53317AEVM-726 は、標準的な低電圧アプリケーションで TPS53317A を提示する設計を採用しており、DDR4 環境をシミュレートすると同時に、TPS53317A の性能を評価できるように多数のテスト・ポイントを実装しています。TPS53317AEVM-726 は、1.2V 電圧レールを使用して 0.6V のレギュレーション済み出力電圧を生成し、最大 6A の負荷電流を供給する設計を採用しています。

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

TPS53317A PSpice Transient Model

SLUM499.ZIP (130 KB) - PSpice Model
ダウンロード
リファレンス・デザイン

PMP11399 — エンタープライズ・イーサネット・スイッチ向け PMBus 電源システムのリファレンス・デザイン

PMP11399 は、ASIC/FPGA の 3 つのコア電圧、DDR3 コア・メモリ電圧、VTT 終端電圧、高性能イーサネット・スイッチで一般的に採用されている補助電圧向けの包括的な PMBus 電源システムです。このハードウェアは、ユーザーがリアルタイムで電源の構成と監視を行うための GUI を備えています。
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RGB) 20 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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