データシート
TPS536C9
- 入力電圧範囲：4.5V～17V
- 出力電圧範囲：0.25V～5.5V
- N + M の位相構成に対応するデュアル出力 (N+M ≤ 12、M ≤ 6)
- PSYS サポートに準拠した Intel VR14 SVID
- VR13.HC/VR13.0 SVID と下位互換性あり
- NVM フォルト・ステータスの自動ログ
- Fast-Vmode 性能を向上させるための動的電流制限
- テキサス・インスツルメンツの NexFET™ 電力段との完全な互換性による高密度ソリューション
- D-CAP+ 制御の強化により、優れた過渡性能と優れた動的電流共有を実現
- プログラム可能なスレッショルドによる動的な位相シェディングで軽負荷時および重負荷時の効率を最適化
- 不揮発性メモリ (NVM) により設定可能なため外付け部品点数が少ない
- 高精度で調整可能な適応型電圧配置 (Avp、負荷ライン) をサポート
- 個別の位相単位 IMON 較正、マルチスロープ・ゲイン較正によりシステム精度を向上。
- 高速な位相加算による過渡アンダーシュート低減
- プログラム可能なタイムアウトによるダイオード・ブレーキにより、過渡オーバーシュートを低減
- 特許申請中の AutoBalance™ 電流共有
- 位相単位のバレー電流制限 (OCL) をプログラム可能
- 電圧、電流、電力、温度、フォルト状態の遠隔測定に対応する PMBus™ v1.3.1 システム・インターフェイス
- PMBus からプログラム可能なループ補償
- ドライバ不要の構成による効率的な高周波数のスイッチング
- 6mm × 6mm、48 ピン、QFN パッケージ
TPS536C9 は、VR14 SVID に準拠した降圧コントローラで、2 つのチャネル、不揮発性メモリ (NVM)、PMBus™ インターフェイスを内蔵しており、テキサス・インスツルメンツの NexFET™ 電力段と完全に互換性があります。アンダーシュート低減 (USR) およびオーバーシュート低減 (OSR) を備えた D-CAP+ アーキテクチャなどの高度な制御機能により、高速過渡応答、低出力容量、良好な電流共有を実現します。また、新しい位相インターリーブ方式と動的な位相シェディングにより、さまざまな負荷で効率が向上します。出力電圧のスルー・レートと適応型電圧配置の可変制御にも対応しています。さらに、PMBus 通信インターフェイスをサポートしているため、電圧、電流、電力、温度、フォルト状態の遠隔測定レポートをホスト・システムに送信できます。プログラム可能なパラメータは、いずれも PMBus インターフェイスを介して設定し、新しいデフォルト値として NVM に保存できるため、外付け部品点数を最小限に抑えることができます。
TPS536C9 デバイスは、放熱特性に優れた 48 ピン QFN パッケージで供給され、–40℃～125℃の温度範囲で仕様が規定されています。
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1 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS536C9 デュアル・channel (N + M ≤ 12 相) D-CAP+™、降圧、マルチフェーズ・コントローラ、PMBus および VR14 SVID インターフェイス付き データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 5月 10日 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| VQFN (RSL) | 48 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点