4A、2MHz VDDQ DC/DC コンバータ、1A VTT LDO、VTTREF を使用する車載用 DDR 電源ソリューション




DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4 Control mode Current Mode Iout VDDQ (Max) (A) 4 Iout VTT (Max) (A) 1 Iq (Typ) (mA) 0.65 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (Min) (V) 2.95 Vin (Max) (V) 6 Features Complete Solution, Power Good, Shutdown Pin for S3 Rating Automotive Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC


WQFN (RTW) 24 16 mm² 4 x 4 open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC


  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C6
  • Single-chip DDR2, DDR3 and DDR3L Memory Power Solution
  • 4-A Synchronous Buck Converter
    • Integrated 33-mΩ High-side and 25-mΩ Low-side MOSFETs
    • Fixed Frequency Current-mode Control
    • Adjustable Frequency from 100 kHz to 2.5 MHz
    • Synchronizable to an External Clock
    • 0.6-V ±1% Voltage Reference Over Temperature
    • Adjustable Cycle-by-Cycle Peak Current Limit
    • Monotonic Start-up Into Pre-biased Outputs
  • 1-A Source/Sink Termination LDO with ±20-mV DC Accuracy
    • Stable with 2 × 10-µF MLCC Capacitor
    • 10-mA Source/Sink Buffered Reference Output Regulated to Within 49% to 51% of VDDQ
  • Independent Enable Pins with Adjustable UVLO and Hysteresis
  • Thermal Shutdown
  • –40°C to 150°C Operating TJ
  • 24-pin, 4-mm × 4-mm WQFN Package
open-in-new その他の DDR メモリ向け電源 IC


The TPS54116-Q1 device is a full featured 6-V, 4-A, synchronous step down converter with two integrated MOSFETs and 1-A sink/source double data rate (DDR) VTT termination regulator with VTTREF buffered reference output.

The TPS54116-Q1 buck regulator minimizes solution size by integrating the MOSFETs and reducing inductor size with up to 2.5-MHz switching frequency. The switching frequency can be set above the medium wave radio band for noise sensitive applications and is synchronizable to an external clock. Synchronous rectification keeps the frequency fixed across the entire output load range. Efficiency is maximized through integrated 25-mΩ low-side and 33-mΩ high-side MOSFETs. Cycle-by-cycle peak current limit protects the device during an overcurrent condition and is adjustable with a resistor at the ILIM pin to optimize for smaller inductors.

The VTT termination regulator maintains fast transient response with only 2 × 10-µF ceramic output capacitance reducing external component count. The TPS54116-Q1 uses remote sensing of VTT for best regulation.

Using the enable pins to enter a shutdown mode reduces supply current to 1-µA. Under voltage lockout thresholds can be set with a resistor network on either enable pin. The VTT and VTTREF outputs are discharged when disabled with ENLDO.

Full integration minimizes the IC footprint with a small 4 mm × 4 mm thermally enhanced WQFN package.

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート TPS54116-Q1 2.95-V to 6-V Input, 4-A Step-Down Converter and 1-A Source/Sink DDR Termination Regulator データシート (Rev. B) 2016年 10月 17日
ユーザー・ガイド Single LP8733-Q1 User's Guide to Power DRA78x and TDA3 (Rev. A) 2021年 3月 31日
アプリケーション・ノート DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) 2020年 7月 9日
技術記事 Improving DDR memory performance in automotive applications 2017年 6月 22日
技術記事 Four design tips to obtain 2MHz switching frequency 2016年 10月 3日
ユーザー・ガイド TPS54116EVM-830 4-A, 1-A, SWIFT™ Regulator Evaluation Module 2016年 8月 11日




評価ボード ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド

この評価基板は、TPS54116-Q1 レギュレータを使用して設計するときに実現することができる小型プリント基板 (PCB) を提示する目的で設計済みです。外部デバイダを使用して、調整可能な出力電圧を実現しています。TPS54116-Q1 DC/DC コンバータは、DDR メモリ終端の目的で、1A のソース (供給) またはシンク (吸い込み) を実現する LDO を内蔵して、最大 4A の出力を供給する設計を採用した同期整流降圧コンバータです。

  • DDR の VDDQ 出力と VTT 出力に対応
  • VTT のソース / シンクに適した動的負荷を搭載
  • VTTREF 出力
  • 最大 4A の VDDQ
  • 最大 ±1A の VTT 出力


シミュレーション・モデル ダウンロード
SLVMBR1.ZIP (219 KB) - PSpice Model


リファレンス・デザイン ダウンロード
オートモーティブ電源、リファレンス・デザイン、低消費電力 TDA3x をベースとするシステム用
TIDA-00530 このソリューションは、車載バッテリを電源とする、TDA3x SoC を使用した ADAS アプリケーション向けにサイズを最適化した高集積電源リファレンス・デザインです。  プロセッシングのニーズが低いアプリケーションだけをターゲットとしており、高性能プロセッサを必要とするシステムに比べ、小型デバイスと部品の選択が可能になっています。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
WQFN (RTW) 24 オプションの表示


  • RoHS
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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