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150mA、超低 Iq、LDO、イネーブル付

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150mA、超低 Iq、LDO、イネーブル付

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製品の詳細

パラメータ

Output options Fixed Output Iout (Max) (A) 0.15 Vin (Max) (V) 30 Vin (Min) (V) 2.7 Vout (Max) (V) 6 Vout (Min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.35, 1.5, 1.6, 1.8, 1.9, 2.5, 2.7, 2.8, 3, 3.3, 3.6, 3.8, 3.9, 5, 6 Noise (uVrms) 190 Iq (Typ) (mA) 0.001 Thermal resistance θJA (°C/W) 73 Load capacitance (Min) (µF) 2 Rating Catalog Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Reverse Current Protection Accuracy (%) 2 PSRR @ 100 KHz (dB) 26 Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) 300 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の リニア・レギュレータ(LDO)

パッケージ｜ピン｜サイズ

SOT-23 (DBV) 5 5 mm² 2.9 x 1.6 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2 open-in-new その他の リニア・レギュレータ(LDO)

特長

  • Ultralow IQ: 1 µA
  • Reverse Current Protection
  • Low ISHUTDOWN: 150 nA
  • Input Voltage Range: 2.7 V to 30 V
  • Supports 200-mA Peak Output
  • 2% Accuracy Over Temperature
  • Available in Fixed-Output Voltages:
    1.2 V to 6.5 V
  • Thermal Shutdown and Overcurrent Protection
  • Packages: SOT-23-5, WSON-6
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概要

The TPS709xx series of linear regulators are ultralow, quiescent current devices designed for power-sensitive applications. A precision band-gap and error amplifier provides 2% accuracy over temperature. Quiescent current of only 1 µA makes these devices ideal solutions for battery-powered, always-on systems that require very little idle-state power dissipation. These devices have thermal-shutdown, current-limit, and reverse-current protections for added safety.

These regulators can be put into shutdown mode by pulling the EN pin low. The shutdown current in this mode goes down to 150 nA, typical.

The TPS709xx series is available in WSON-6 and SOT-23-5 packages.

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
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アプリケーション・ノート Linear power for automated industrial systems 2015年 1月 9日
ユーザー・ガイド TPS709xxEVM-110 Evaluation Module 2012年 9月 5日

設計と開発

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ハードウェア開発

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概要

The ISO5852SDWEVM-017 is a compact, dual chanel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for half-bridge Sic MOSFET and IGBT Power Modules in standard 62-mm package. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation driver IC ISO5852SDW in (...)

特長
  • 20-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection with soft turn OFF and 2-A Miller clamp ability
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
  • Isolated module temperature and (...)
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概要
The LMG1020EVM-006 is a small, easy-to-use power stage for LIDAR laser drive. The EVM includes an integrated resistive load, (laser not included) and takes a short-pulse input that can either be buffered (and shortened further), or passed directly to the power stage. The board can demonstrate (...)
特長
  • Demonstrates driver capability of 1ns pulses >50A
  • Extremely short propagation delay: 2.5ns typical, 4.5ns max
  • 210 ps typical rise/fall time
  • Schmitt-trigger type CMOS inputs for robustness
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特長
  • 2% accuracy over temperature
  • Ultra-low IQ: 1 µA
  • Shutdown current: 150 nA
  • Input voltage: 2.5 V to 30 V
  • Stable with cost-effective ceramic capacitors
  • 300-mV dropout at 50 mA
  • Protections: overcurrent, overtemperature and reverse-current
  • SOT23-5 DBV package
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概要
The UCC21710QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)
特長
  • 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
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概要

The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)

特長
  • 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection with two-level soft turn OFF and Miller clamp drive signal for external FET
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
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概要
The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)
特長
  • 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection using desat signal with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
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設計ツールとシミュレーション

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