150-mA, 30-V, ultra-low-IQ, low-dropout voltage regulator with reverse current protection and enable
製品の詳細
パラメータ
パッケージ|ピン|サイズ
特長
- Ultralow IQ: 1 µA
- Reverse Current Protection
- Low ISHUTDOWN: 150 nA
- Input Voltage Range: 2.7 V to 30 V
- Supports 200-mA Peak Output
- 2% Accuracy Over Temperature
- Available in Fixed-Output Voltages:
1.2 V to 6.5 V - Thermal Shutdown and Overcurrent Protection
- Packages: SOT-23-5, WSON-6
概要
The TPS709xx series of linear regulators are ultralow, quiescent current devices designed for power-sensitive applications. A precision band-gap and error amplifier provides 2% accuracy over temperature. Quiescent current of only 1 µA makes these devices ideal solutions for battery-powered, always-on systems that require very little idle-state power dissipation. These devices have thermal-shutdown, current-limit, and reverse-current protections for added safety.
These regulators can be put into shutdown mode by pulling the EN pin low. The shutdown current in this mode goes down to 150 nA, typical.
The TPS709xx series is available in WSON-6 and SOT-23-5 packages.
類似しているが機能が同等ではない比較製品
技術資料
種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |
---|---|---|---|---|
* | データシート | TPS709 150-mA, 30-V, 1-µA IQ Voltage Regulators with Enable データシート | 2015年 11月 4日 | |
アプリケーション・ノート | Avoid Start-up Overshoot of LDO | 2020年 3月 12日 | ||
アプリケーション・ノート | A Topical Index of TI LDO Application Notes | 2019年 6月 27日 | ||
セレクション・ガイド | 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) | 英語版をダウンロード (Rev.R) | 2018年 9月 13日 | |
技術記事 | LDO basics: capacitor vs. capacitance | 2018年 8月 1日 | ||
技術記事 | LDO Basics: Preventing reverse current | 2018年 7月 25日 | ||
技術記事 | LDO basics: introduction to quiescent current | 2018年 6月 20日 | ||
セレクション・ガイド | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide | 2018年 3月 21日 | ||
技術記事 | How to choose the right kind of DC/DC conversion for your appliance design | 2017年 12月 4日 | ||
セレクション・ガイド | 低ドロップアウト(LDO)レギュレータ クイック・リファレンス・ガイド (Rev. N 翻訳版) | 最新の英語版をダウンロード (Rev.P) | 2017年 8月 15日 | |
ユーザー・ガイド | Universal Low-Dropout Linear Voltage Regulator (LDO) Evaluation Module | 2016年 10月 12日 | ||
アプリケーション・ノート | Linear power for automated industrial systems | 2015年 1月 9日 | ||
ユーザー・ガイド | TPS709xxEVM-110 Evaluation Module | 2012年 9月 5日 |
設計と開発
追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。ハードウェア開発
概要
The ISO5852SDWEVM-017 is a compact, dual chanel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for half-bridge Sic MOSFET and IGBT Power Modules in standard 62-mm package. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation driver IC ISO5852SDW in (...)
特長
- 20-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection with soft turn OFF and 2-A Miller clamp ability
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
- Isolated module temperature and (...)
概要
特長
- Demonstrates driver capability of 1ns pulses >50A
- Extremely short propagation delay: 2.5ns typical, 4.5ns max
- 210 ps typical rise/fall time
- Schmitt-trigger type CMOS inputs for robustness
- Advanced layout with >500pH of inductace
概要
The MULTIPKGLDOEVM-823 evaluation module (EVM) helps you evaluate the operation and performance of several common packages of linear regulators for possible use in circuit applications. This particular EVM configuration has a DRB, DRV, DQN and DBV footprint for you to solder and (...)
特長
- Supports almost all low-dropout (LDO) linear regulators in DBV, DRB, DRV and DQN packages
概要
特長
- 2% accuracy over temperature
- Ultra-low IQ: 1 µA
- Shutdown current: 150 nA
- Input voltage: 2.5 V to 30 V
- Stable with cost-effective ceramic capacitors
- 300-mV dropout at 50 mA
- Protections: overcurrent, overtemperature and reverse-current
- SOT23-5 DBV package
概要
特長
- 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
概要
The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)
特長
- 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection with two-level soft turn OFF and Miller clamp drive signal for external FET
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
概要
特長
- 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection using desat signal with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
設計ツールとシミュレーション
リファレンス・デザイン
CAD/CAE シンボル
パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
---|---|---|
SOT-23 (DBV) | 5 | オプションの表示 |
WSON (DRV) | 6 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating/ リフローピーク温度
- MTBF/FIT の推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
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