TS3A44159

アクティブ

0.4Ω オン状態抵抗、3.3V、2:1 (SPDT)、4 チャネル・アナログ・スイッチ

製品詳細

Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 0.3 CON (typ) (pF) 162 ON-state leakage current (max) (µA) 0.05 Supply current (typ) (µA) 0.001 Bandwidth (MHz) 35 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make Input/output continuous current (max) (mA) 200 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 4.3 Supply voltage (max) (V) 4.3
Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 0.3 CON (typ) (pF) 162 ON-state leakage current (max) (µA) 0.05 Supply current (typ) (µA) 0.001 Bandwidth (MHz) 35 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make Input/output continuous current (max) (mA) 200 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 4.3 Supply voltage (max) (V) 4.3
TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 UQFN (RSV) 16 4.68 mm² 2.6 x 1.8 VQFN (RGT) 16 9 mm² 3 x 3
  • Specified Break-Before-Make Switching
  • Low ON-State Resistance (<0.5 Ω)
  • Control Inputs Are 1.8-V Logic Compatible
  • Low Charge Injection
  • Excellent ON-State Resistance Matching
  • Low Total Harmonic Distortion (THD)
  • 1.65-V to 4.3-V Single-Supply Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA
    Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • ±2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • ±1000-V Charged-Device Model
      (C101)
  • Specified Break-Before-Make Switching
  • Low ON-State Resistance (<0.5 Ω)
  • Control Inputs Are 1.8-V Logic Compatible
  • Low Charge Injection
  • Excellent ON-State Resistance Matching
  • Low Total Harmonic Distortion (THD)
  • 1.65-V to 4.3-V Single-Supply Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA
    Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • ±2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • ±1000-V Charged-Device Model
      (C101)

The TS3A44159 is a bidirectional 4-channel single-pole double-throw (SPDT) analog switch with two control inputs, which is designed to operate from 1.65 V to 4.3 V. This device is also known as a 2 channel double-pole double-throw (DPDT) configuration. It offers low ON-state resistance and excellent ON-state resistance matching with the break-before-make feature that prevents signal distortion during the transferring of a signal from one channel to another. The device has an excellent total harmonic distortion (THD) performance and consumes very low power. These features make this device suitable for portable audio applications

The TS3A44159 is a bidirectional 4-channel single-pole double-throw (SPDT) analog switch with two control inputs, which is designed to operate from 1.65 V to 4.3 V. This device is also known as a 2 channel double-pole double-throw (DPDT) configuration. It offers low ON-state resistance and excellent ON-state resistance matching with the break-before-make feature that prevents signal distortion during the transferring of a signal from one channel to another. The device has an excellent total harmonic distortion (THD) performance and consumes very low power. These features make this device suitable for portable audio applications

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技術資料

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* データシート TS3A44159 0.45-Ω Quad SPDT Analog Switch 4-Channel 2:1 Multiplexer – Demultiplexer With Two Controls データシート (Rev. B) PDF | HTML 2015年 1月 21日
アプリケーション概要 1.8-V Logic for Multiplexers and Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 2022年 7月 26日
アプリケーション・ノート Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 2022年 6月 2日
アプリケーション・ノート Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 2021年 12月 1日
アプリケーション・ノート CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families (Rev. C) PDF | HTML 2021年 11月 19日
ホワイト・ペーパー Selecting signal switches to enable IoT communication modules 2017年 3月 20日
アプリケーション・ノート Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches 2008年 7月 3日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

設計と開発

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評価ボード

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評価ボード

IWRL6432BOOST — IWRL6432 ブースタパックは、シングルチップ、60GHz、ミリ波、低消費電力センサの評価基板

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インターフェイス・アダプタ

LEADED-ADAPTER1 — TI の 5、8、10、16、24 ピン・リード付きパッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

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ユーザー ガイド: PDF
インターフェイス・アダプタ

LEADLESS-ADAPTER1 — TI の 6、8、10、12、16、20 ピン・リードレス・パッケージの迅速なテスト向けの表面実装から DIP ヘッダーへのアダプタ

The EVM-LEADLESS1 board allows for quick testing and bread boarding of TI's common leadless packages.  The board has footprints to convert TI's DRC, DTP, DQE, RBW, RGY, RSE, RSV, RSW RTE, RTJ, RUK , RUC, RUG, RUM,RUT and YZP surface mount packages to 100mil DIP headers.
ユーザー ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00586 — ゲージ・ブースタ・パック、リファレンス・デザイン

The TIDA-00586 reference design is a gauge that has been designed as a booster pack to fit on the TI Launchpad development boards. The use of this this board for development will reduce the time spent in design and test of the bq27421 gauge IC. You can select any appropriate charger to charge your (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00587 — チャージャ・ブースタ・パック、リファレンス・デザイン

The TIDA-00587 reference design is a charger that has been designed as a booster pack to fit on the TI Launchpad development boards. The use of this this board for development will reduce the time spent in design and test of the bq24250 charger IC. You can charger your battery and using the on (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
TSSOP (PW) 16 オプションの表示
UQFN (RSV) 16 オプションの表示
VQFN (RGT) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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