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製品の詳細

パラメータ

Protocols 10 BASE-T, 100 BASE-T, LAN Configuration 2:1 SPDT Number of channels (#) 4 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (Max) (V) 3.6 Supply voltage (Min) (V) 3 Ron (Typ) (Ohms) 4 Input/ouput voltage (Min) (V) 0 Input/ouput voltage (Max) (V) 5.5 Supply current (Typ) (uA) 700 ESD HBM (Typ) (kV) 2 Operating temperature range (C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -26 ESD CDM (kV) 1 ICC (Typ) (uA) 700 Input/output continuous current (Max) (mA) 128 COFF (Typ) (pF) 5.5 CON (Typ) (pF) 10.5 Off isolation (Typ) (dB) -28 OFF-state leakage current (Max) (µA) 1 Propagation delay (ns) 0.25 Ron (Max) (Ohms) 8 Ron channel match (Max) (Ohms) 0.9 RON flatness (Typ) (Ohms) 1 Turn off time (disable) (Max) (ns) 5 Turn on time (enable) (Max) (ns) 7 VIH (Min) (V) 2 VIL (Max) (V) 0.8 open-in-new その他の プロトコル固有のスイッチ/マルチプレクサ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (D) 16 59 mm² 9.9 x 6 SSOP (DBQ) 16 29 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 22 mm² 4.4 x 5 TVSOP (DGV) 16 23 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5 open-in-new その他の プロトコル固有のスイッチ/マルチプレクサ

特長

  • 広い帯域幅 (標準値 BW = 500MHz)
  • 小さいクロストーク (標準値 XTALK = -30dB)
  • 伝播遅延がゼロに近い双方向データ・フロー
  • 低くフラットなオン抵抗
    (ron = 4Ω (標準値)、ron(flat) = 1Ω)
  • データ I/O ポートでのスイッチング (0~5V)
  • 3V~3.6V の範囲の VCC で動作
  • Ioff により部分的パワーダウン・モード動作をサポート
  • データおよび制御入力にアンダーシュート・クランプ・ダイオードを内蔵
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • ESD 性能は JESD 22 に準拠しテスト済み
    • 2000V、人体モデル (A114-B、クラス II)
    • 1000V、デバイス帯電モデル (C101)
  • 10 Base-T と 100 Base-T の両方の信号処理に最適

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概要

TS3L110 ローカル・エリア・ネットワーク (LAN) スイッチは、1 つのスイッチ・イネーブル (E) 入力を備えた 4 ビット 1:2 マルチプレクサ/デマルチプレクサです。E が LOW のとき、スイッチはオンになり、I ポートは Y ポートに接続されます。E が HIGH のとき、スイッチはオフになり、I と Y のポート間は高インピーダンス状態になります。セレクト (S) 入力は、マルチプレクサ/デマルチプレクサのデータ・パスを制御します。

TS3L110 デバイスを使用して、LAN アプリケーションの機械式リレーを置き換えることができます。このデバイスはオン抵抗 (ron) が低くかつフラットで、帯域幅が広く、クロストークが小さいため、10/100 Base-T や他の各種 LAN アプリケーションに適しています。TS3L110 デバイスは、10/100 Base-T のイーサネット・トランシーバからの信号を、ラップトップやドッキング・ステーションの RJ-45 LAN コネクタへ転送するために使用できます。このデバイスは、チャネル間のスキューとクロストークが小さくなるよう設計されています。

このデバイスは、Ioffを使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用に完全に動作が規定されています。Ioff機能により、パワーダウン時に損傷を引き起こすような電流がデバイスに逆流しないことが保証されます。デバイスは、電源オフ時は絶縁されています。

電源オンまたは電源オフ時に確実に高インピーダンス状態になるように、E はプルアップ抵抗経由で VCC に接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決定されます。

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ダウンロード

技術資料

= TI が選択したこの製品の主要ドキュメント
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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート TS3L110 クワッド SPDT 高帯域幅 10/100 Base-T LAN スイッチ差動 8:4 マルチプレクサ/デマルチプレクサ データシート (Rev. B 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.B) 2020年 3月 20日
技術記事 Roll with the design punches and overcome power-sequencing challenges 2019年 7月 29日
アプリケーション・ノート Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches 2008年 7月 3日
アプリケーション・ノート Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

インターフェイス・アダプタ ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
10
概要

EVM-LEADED1 ボードは、TI の一般的なリード付きパッケージによる迅速なテストとブレッド・ボードへの対応を可能にします。 TI の D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV、PW 表面実装パッケージを 100mil DIP ヘッダに変換するフットプリントを用意しています。     

特長
  • TI のリード付き表面実装パッケージの迅速なテスト
  • リード付き表面実装パッケージをブレッド・ボードに 100mil 間隔で差し込み可能
  • シングル・パネルにより TI の代表的な 8 つのリード付きパッケージに対応


インターフェイス・アダプタ ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
10
概要
The EVM-LEADLESS1 board allows for quick testing and bread boarding of TI's common leadless packages.  The board has footprints to convert TI's DRC, DTP, DQE, RBW, RGY, RSE, RSV, RSW RTE, RTJ, RUK , RUC, RUG, RUM,RUT and YZP surface mount packages to 100mil DIP headers.
特長
  • Quick testing of TI's surface mount packages 
  • Allows suface mount packages to be plugged into 100mil spaced bread board 
  • Supports TI's 16 most popular leadless packages with a single panel

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 16 オプションの表示
SSOP (DBQ) 16 オプションの表示
TSSOP (PW) 16 オプションの表示
TVSOP (DGV) 16 オプションの表示
VQFN (RGY) 16 オプションの表示

購入と品質

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

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トレーニング・シリーズ

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ビデオ

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