UCC21520
デュアル入力、ディセーブル ピン採用、8V UVLO (低電圧ロックアウト) 機能搭載、DW パッケージ封止、5.7kVrms、4A/6A、デュアルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
UCC21520
- 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
- 動作温度範囲: -40℃~+125℃
- スイッチング・パラメータ:
- 19ns (標準値) の伝搬遅延
- 最小パルス幅:10ns
- 最大遅延マッチング:5ns
- 最大パルス幅歪み: 6ns
- 100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
- 最大 12.8kV のサージ耐性
- 絶縁バリアの寿命:40 年超
- ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
- TTL および CMOS 互換の入力
- 3V~18Vの入力 VCCI 範囲により、デジタルおよびアナログの両方のコントローラと接続可能
- 最大 25V の VDD 出力駆動電源
- 5V および 8V の VDD UVLO オプション
- オーバーラップおよびデッドタイムをプログラム可能
- 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 高速なディセーブルによる電源シーケンス
- 業界標準の幅広 SOIC-16 (DW) パッケージ
- 安全関連認証:
- DIN V VDE V 0884-11: 2017-01に準拠した強化絶縁耐圧:8000VPK
- UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:5.7kVRMS (1 分間)
- IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 最終製品規格による CSA 認証
- GB4943.1-2011 による CQC 認証
UCC21520 および UCC21520A は、絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。パワー MOSFET、IGBT、および SiC MOSFET を最大 5MHz で駆動するよう設計され、伝搬遅延とパルス幅歪みはクラス最良です。
入力側は 5.7kVRMS の強化絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性 (CMTI) は最小で 100V/ns です。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1500VDC までの電圧で動作します。
すべてのドライバは、2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッドタイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。ディセーブル・ピンは、 HIGH に設定されると両方の出力を同時にシャットダウンし、オープンまたは接地されると通常動作になります。フェイルセーフ対策として、1 次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的に LOW になります。
各デバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け入れます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~18V と広いため、このドライバは、アナログおよびデジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が搭載されています。
これらの高度な機能により、UCC21520 および UCC21520A は、 広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、優れた堅牢性を実現します。
技術資料
設計と開発
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パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
---|---|---|
SOIC (DW) | 16 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。