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製品の詳細

パラメータ

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function Enable Output VCC/VDD (Max) (V) 25 Output VCC/VDD (Min) (V) 14.7 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 18 Prop delay (ns) 19 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (DWK) 14 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

特長

  • 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
  • 幅広の SOIC-14 (DWK) パッケージ
  • ドライバ・チャネル間の間隔 3.3mm
  • スイッチング・パラメータ
    • 伝搬遅延 19ns (標準値)
    • 最小パルス幅 10ns
    • 最大遅延マッチング 5ns
    • 最大パルス幅歪み 6ns
  • 100V/nsを超える同相過渡耐性(CMTI)
  • 最大12.8kVPKのサージ耐性
  • 絶縁バリアの寿命 40年以上
  • ピーク・ソース4A、ピーク・シンク6Aの出力
  • TTLおよびCMOS互換の入力
  • 3V~18Vの入力VCCI範囲
  • 最大 25V の VDD 出力駆動電源
  • オーバーラップおよびデッドタイムをプログラミング可能
  • 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度範囲: -40°C~+125°C
  • 安全性関連の認定
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した 8000VPK 絶縁 (予定)
    • UL 1577準拠で5.7kVRMSにおいて1分間の絶縁
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1最終機器標準に準拠のCSA認定 (予定)
    • GB4943.1-2011 準拠の CQC 認定 (予定)
  • 次の内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード1
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6

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open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

概要

UCC21530-Q1 は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。IGBT および SiC MOSFET を最高 5MHz で駆動し、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現するよう設計されています。

入力側は5.7kVRMSの強化絶縁バリアによって2つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性(CMTI)は最小で100V/nsです。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1850V までの電圧で動作します。

このドライバは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッドタイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。ENピンがLOWになると、両方の出力が同時にシャットダウンされ、オープンまたはHIGHのときは通常動作します。フェイルセーフ手法として、1次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的にLOWになります。

このデバイスは、25VまでのVDD電源電圧を受け付けます。VCCI入力電圧範囲が3V~18Vと広いため、このドライバはアナログ/デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止(UVLO)保護機能が搭載されています。

これらの高度な機能により、UCC21530-Q1 は広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、および堅牢性を実現します。

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情報

詳細リクエスト

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技術資料

= TI が選択したこの製品の主要ドキュメント
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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS、チャネル間隔 3.3mm の絶縁デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.C) 2019年 11月 21日
その他の技術資料 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 2019年 11月 13日
その他の技術資料 CSA Product Certificate 2019年 8月 15日
その他の技術資料 UCC21520 UL Certification 2019年 7月 22日
技術記事 Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC 2019年 2月 8日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日

設計と開発

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ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
49
概要
UCC21530EVM-286 is designed for evaluating UCC21530DWK, which is an isolated dual-channel gate driver with 4-A source and 6-A sink peak current, 12V UVLO, Enable (Active High) Function and 3.3 mm creepage between channels . This EVM could be served as a reference design for driving IGBTS and SiC (...)
特長
  • Universal: Dual Low-Side, Dual High-Side or Half-Bridge Driver
  • Common-Mode Transient Immunity CMTI Greater than 100 V/ns
  • Programmable Overlap and Dead Time
  • 5.7-kVrms reinforced isolation
  • Wide Body SOIC-14 (DWK) Package with 3.3 mm spacing between channels on secondary side

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
シミュレーション・ツール ダウンロード
PSpice® for TI design and simulation tool
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを活用して、複雑なミックスド・シグナル設計のシミュレーションを実施することができます。完成度の高い最終機器を設計し、レイアウトの確定や製造開始より前に、ソリューションのプロトタイプを製作することができます。この結果、市場投入期間の短縮と開発コストの削減を実現できます。 

設計とシミュレーション向けのツールである PSpice for TI の環境内で、各種 TI デバイスの検索、製品ラインアップの参照、テスト・ベンチの起動、設計のシミュレーションを実施し、選定したデバイスをさらに分析することができます。また、複数の TI デバイスを組み合わせてシミュレーションを実行することもできます。

事前ロード済みの複数のモデルで構成されたライブラリ全体に加えて、PSpice for TI ツール内で各種 TI デバイスの最新の技術関連資料に簡単にアクセスすることもできます。開発中のアプリケーションに適したデバイスを選定できたことを確認した後、TI 製品の購入ページにアクセスして、その製品を購入することができます。 

PSpice for TI を使用すると、回路の検討から設計の開発や検証まで、作業の進展に合わせて設計サイクルの各段階で、シミュレーションのニーズに適した各種ツールにアクセスできます。コスト不要で入手でき、開発を容易に開始できます。設計とシミュレーションに適した PSpice スイートをダウンロードして、今すぐ設計を開始してください。

 開発の開始

  1. PSpice for TI シミュレータへのアクセスの申請
  2. ダウンロードとインストール
  3. シミュレーション方法説明ビデオのご視聴
特長
  • Cadence の PSpice テクノロジーを活用
  • デジタル・モデル・スイートが付属する事前インストール済みのライブラリを活用して、ワーストケース・タイミング分析を実現可能
  • 動的更新により、最新のデバイス・モデルに確実にアクセス可能
  • 精度の低下を招かずに、シミュレーション速度を重視して最適化済み
  • 複数製品の同時分析をサポート
  • OrCAD Capture フレームワークを土台とし、業界で最も幅広く使用されている回路図のキャプチャとシミュレーションの環境へのアクセスを実現
  • オフライン作業が可能
  • 以下の点を含め、多様な動作条件とデバイス公差にまたがって設計を検証
    • 自動的な測定と後処理
    • モンテカルロ分析法
    • ワーストケース分析
    • 熱解析

リファレンス・デザイン

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HEV/EV のオンボード・チャージャ向け、双方向 CLLLC 共振デュアル・アクティブ・ブリッジ(DAB)のリファレンス・デザイン
TIDM-02002 — CLLLC resonant DAB with bidirectional power flow capability and soft switching characteristics is an ideal candidate for Hybrid Electric Vehicle/Electric Vehicle (HEV/EV) on-board chargers and energy storage applications. This design illustrates control of this power topology using a C2000&trade (...)
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード (Rev.C)
リファレンス・デザイン ダウンロード
2 レベルのターンオフ保護機能搭載、車載、デュアルチャネル SiC MOSFET ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン
TIDA-01605 — このリファレンス・デザインは、SiC MOSFET をハーフ・ブリッジ構成で駆動する、車載認定済みの絶縁型ゲート・ドライバ・ソリューションです。このデザインは、デュアル・チャネルの絶縁型ゲート・ドライバのそれぞれに電力を供給する 2 個のプッシュプル・バイアス電源を搭載しており、各電源は +15V と -4V の出力電圧で 1W の出力電力を供給します。ゲート・ドライバは、4A のソース電流と 6A のピーク・シンク電流に対応できます。このドライバは強化絶縁型であり、8kV ピークと 5.7kV RMS の絶縁電圧に耐えるほか、100V/ns を上回る CMTI(同相モード過渡電圧耐性)を達成しています。このリファレンス・デザインは、2 レベルのターンオフ回路を搭載しており、短絡のシナリオが発生した場合でも、これらの回路は MOSFET を電圧オーバーシュートから保護します。2 番目のターンオフ回路で、DESAT 検出スレッショルドと遅延時間が構成可能です。フォールト信号とリセット信号のインターフェイスを目的として、ISO7721-Q1 デジタル・アイソレータを実装済みです。回路全体が、40mm × 40mm.の小型フォーム・ファクタを採用した 2 層 PCB ボードに搭載されています。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド
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6.6 kW, bi-directional CLLLC resonant converter reference design using PCB winding transformer
PMP21999 — 6.6kW、双方向、デュアル・アクティブ・ブリッジ共振コンバータを提示するこのリファレンス・デザインは、380VDC ~ 600VDC の入力を受け入れ、280VDC ~ 450VDC の出力を供給します。このデザインは、PCB の巻線トランスと Rogowski (...)
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安全絶縁型 2 次側 SiC MOSFET ドライバのリファレンス・デザイン
PMP21561 — This reference design provides an integrated high and low side isolated secondary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド
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安全絶縁型 1 次側 SiC MOSFET ドライバのリファレンス・デザイン
PMP21553 — This reference design provides an integrated high and low side isolated primary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
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CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DWK) 14 オプションの表示

購入と品質

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

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トレーニング・シリーズ

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