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UCC21530-Q1

アクティブ

車載対応、IGBT/SiC 向け、EN ピンと DT ピン搭載、4A、6A、5.7kVRMS、絶縁型デュアルチャネル・ゲート・ドライバ

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
NEW UCC21551-Q1 アクティブ 車載対応、 IGBT と SiC 向け、 EN ピンと DT ピン搭載、 4A/6A 、 5kVRMS 、デュアルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

製品詳細

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 次の測定結果により AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
  • 幅広の SOIC-14 (DWK) パッケージ
  • ドライバ・チャネルの間隔 3.3mm
  • スイッチング・パラメータ:
    • 19ns (標準値) の伝搬遅延
    • 最小パルス幅:10ns
    • 最大遅延マッチング:5ns
    • 最大パルス幅歪み:6ns
  • 100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
  • 絶縁バリアの寿命:40 年超
  • ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
  • TTL および CMOS 互換の入力
  • 3V~18V の入力 VCCI 範囲
  • 最大 25V の VDD 出力駆動電源
    • 8V および 12V の VDD UVLO オプション
  • オーバーラップおよびデッドタイムをプログラミング可能
  • 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度範囲: -40℃~+125℃
  • 安全関連認証:
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した絶縁耐圧:8000VPK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:5.7kVRMS (1 分間)
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 最終製品規格による CSA 認証
    • GB4943.1-2011 による CQC 認証
  • 次の測定結果により AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 汎用:デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
  • 幅広の SOIC-14 (DWK) パッケージ
  • ドライバ・チャネルの間隔 3.3mm
  • スイッチング・パラメータ:
    • 19ns (標準値) の伝搬遅延
    • 最小パルス幅:10ns
    • 最大遅延マッチング:5ns
    • 最大パルス幅歪み:6ns
  • 100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI)
  • 絶縁バリアの寿命:40 年超
  • ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
  • TTL および CMOS 互換の入力
  • 3V~18V の入力 VCCI 範囲
  • 最大 25V の VDD 出力駆動電源
    • 8V および 12V の VDD UVLO オプション
  • オーバーラップおよびデッドタイムをプログラミング可能
  • 5ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度範囲: -40℃~+125℃
  • 安全関連認証:
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した絶縁耐圧:8000VPK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:5.7kVRMS (1 分間)
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 最終製品規格による CSA 認証
    • GB4943.1-2011 による CQC 認証

UCC21530 -Q1 は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET を最高 5MHz で駆動し、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現するよう設計されています。

入力側は 5.7kVRMS の強化絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性 (CMTI) は最小で 100V/ns です。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1850V までの電圧で動作します。

このドライバは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッド・タイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフブリッジ・ドライバとして構成可能です。EN ピンが Low にプルされると、両方の出力が同時にシャットダウンされ、オープンまたは High にプルされているときは通常動作します。フェイルセーフ手法として、1 次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的に Low になります。

このデバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~18V と広いため、このドライバはアナログ / デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が搭載されています。

UCC21530 -Q1 は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET を最高 5MHz で駆動し、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現するよう設計されています。

入力側は 5.7kVRMS の強化絶縁バリアによって 2 つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性 (CMTI) は最小で 100V/ns です。2 つの 2 次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1850V までの電圧で動作します。

このドライバは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッド・タイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフブリッジ・ドライバとして構成可能です。EN ピンが Low にプルされると、両方の出力が同時にシャットダウンされ、オープンまたは High にプルされているときは通常動作します。フェイルセーフ手法として、1 次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的に Low になります。

このデバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~18V と広いため、このドライバはアナログ / デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンには、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が搭載されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS、チャネル間隔 3.3mm の絶縁デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2022年 8月 24日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日
ホワイト・ペーパー 以可靠且經濟實惠的隔離技術解決高電壓設計挑戰 (Rev. C) PDF | HTML 2024年 2月 15日
アプリケーション・ノート Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 2024年 1月 25日
ホワイト・ペーパー Addressing High-Volt Design Challenges w/ Reliable and Affordable Isolation Tech (Rev. C) PDF | HTML 2023年 9月 26日
ホワイト・ペーパー 高信頼性と低コストを両立させる絶縁技術により高電圧設計の様々な課題を解決 (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 9月 19日
ホワイト・ペーパー 높은 신뢰도와 합리적인 가격대의 절연 기술 개발과 관련한 고전압 설계 문제의 해결 (Rev. B) PDF | HTML 2023年 9月 19日
証明書 UCC21540 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 17日
証明書 UCC215xx CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 17日
証明書 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. C) 2022年 12月 2日
アプリケーション概要 The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
証明書 CSA Product Certificate (Rev. A) 2019年 8月 15日
技術記事 Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 2019年 2月 9日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC21530EVM-286 — UCC21530 絶縁型デュアルチャネル・ドライバの評価モジュール

UCC21530EVM-286 is designed for evaluating UCC21530DWK, which is an isolated dual-channel gate driver with 4-A source and 6-A sink peak current, 12V UVLO, Enable (Active High) Function and 3.3 mm creepage between channels . This EVM could be served as a reference design for driving IGBTS and SiC (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

TIDM-02009 — ASIL D 安全性コンセプト検証済み、高速トラクション、双方向 DC/DC 変換のリファレンス・デザイン

このリファレンス デザインは、単一の TMS320F28388D リアルタイム C2000™ マイコンを使用して、HV/EV (ハイブリッド車と電気自動車) のトラクション インバータおよび双方向 DC/DC コンバータを制御する方法を提示します。トラクション制御機能はソフトウェア・ベースのリゾルバ / デジタル・コンバータ (RDC) を使用し、最高 20,000RPM に達する高速でモーターを駆動します。DC/DC コンバータは、位相シフト・フルブリッジ (PSFB) トポロジーと同期整流 (SR) 方式を採用したピーク電流モード制御 (PCMC) (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-01605 — 2 レベルのターンオフ保護機能搭載、車載、デュアルチャネル SiC MOSFET ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、SiC MOSFET をハーフ・ブリッジ構成で駆動する、車載認定済みの絶縁型ゲート・ドライバ・ソリューションです。このデザインは、デュアル・チャネルの絶縁型ゲート・ドライバのそれぞれに電力を供給する 2 個のプッシュプル・バイアス電源を搭載しており、各電源は +15V と -4V の出力電圧で 1W の出力電力を供給します。ゲート・ドライバは、4A のソース電流と 6A のピーク・シンク電流に対応できます。このドライバは強化絶縁型であり、8kV ピークと 5.7kV RMS の絶縁電圧に耐えるほか、100V/ns を上回る (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-02002 — HEV/EV のオンボード・チャージャ向け、双方向 CLLLC 共振デュアル・アクティブ・ブリッジ(DAB)のリファレンス・デザイン

CLLLC resonant DAB with bidirectional power flow capability and soft switching characteristics is an ideal candidate for Hybrid Electric Vehicle/Electric Vehicle (HEV/EV) on-board chargers and energy storage applications. This design illustrates control of this power topology using a C2000™ (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDM-02012 — 高電圧 HV/E (ハイブリッド車と電気自動車) の HVAC (エアコン) eCompressor 向け、MathWorks® によるモーター制御機能のリファレンス・デザイン

TIDM-02012 は、中性能の C2000™ TMS320F28003x リアルタイム・マイコンで制御する HV/EV (ハイブリッド車と電気自動車) のコンプレッサ (eCompressor) アプリケーション向けに製作した、高電圧対応 5kW のリファレンス・デザインです。400V と 800V どちらの DC バス使用時も評価できる設計を採用しており、バッテリ電圧の上昇という市場トレンドに対応しています。controlCARD をベースとした設計であり、開発ユーザーは複数のマイコンとゲート・ドライバ・オプションを評価できるほか、C2000™ (...)
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP21999 — 6.6 kW, bi-directional CLLLC resonant converter reference design using PCB winding transformer

6.6kW、双方向、デュアル・アクティブ・ブリッジ共振コンバータを提示するこのリファレンス・デザインは、380VDC ~ 600VDC の入力を受け入れ、280VDC ~ 450VDC の出力を供給します。このデザインは、PCB の巻線トランスと Rogowski コイルを使用する同期整流器(SR)制御を採用し、電力密度と効率を最適化しています。このデザインはドーター・カードのアプローチで実装を行い、C2000™ コントローラ(TMDSCNCD280049C)、SiC ドライバ(PMP22001 と (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

PMP21561 — 安全絶縁型 2 次側 SiC MOSFET ドライバのリファレンス・デザイン

This reference design provides an integrated high and low side isolated secondary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

PMP21553 — 安全絶縁型 1 次側 SiC MOSFET ドライバのリファレンス・デザイン

This reference design provides an integrated high and low side isolated primary gate driver solution for an automotive battery charging system incorporating two push-pull SN6505B transformer drivers and the isolated dual-channel gate driver UCC21521C.
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DWK) 14 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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