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UCC21732

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2 レベルのターンオフ機能搭載、IGBT/SiC FET 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • フォルト発生時の内部 2 レベル ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
    • VDD UVLO：12V
  • 最大 5V のオーバー/アンダー シュート過渡電圧に耐える入力/出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁：8000VPK (VIOTM)、2121VPK (VIORM)
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：5700VRMS (1 分間)
  • 5.7kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • フォルト発生時の内部 2 レベル ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
    • VDD UVLO：12V
  • 最大 5V のオーバー/アンダー シュート過渡電圧に耐える入力/出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁：8000VPK (VIOTM)、2121VPK (VIORM)
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：5700VRMS (1 分間)

UCC21732 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21732 は最大 ±10A のピーク 電流をソースおよびシンクできます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kVRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21732 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21732 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21732 は最大 ±10A のピーク 電流をソースおよびシンクできます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kVRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21732 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料

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設計と開発

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評価ボード

UCC21732QDWEVM-025 — UCC21732-Q1 車載シングルチャネル絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバの評価モジュール

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ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リクエスト
リファレンス・デザイン

PMP23223 — バイアス電源搭載、スマート絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、UCC21732 ゲート・ドライバと UCC14xxx シリーズのバイアス電源の組み合わせを提示します。このリファレンス・デザインは、Wolfspeed 社の SiC (シリコン・カーバイド) FET (電界効果トランジスタ) モジュールへの直接接続を含め、さまざまなパワー・スイッチの駆動に使用できます。このリファレンス・デザインは、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバのどちらか一方として使用できるほか、静電容量性負荷に類似した負荷と組み合わせてテストすることもできます。

UCC14240-Q1、UCC14141-Q1、UCC14341-Q1 (...)

試験報告書: PDF
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SOIC (DW) 16 オプションの表示
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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