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UCC21732-Q1

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Automotive ±10-A 5.7kV RMS single channel isolated gate driver for SiC/IGBT

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Automotive ±10-A 5.7kV RMS single channel isolated gate driver for SiC/IGBT

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製品の詳細

パラメータ

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function — Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

パッケージ｜ピン｜サイズ

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

特長

  • シングルチャネル SiC/IGBT 絶縁ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み (認定予定)
  • 最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧 (VDD-COM)：33V
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • アクティブ・ミラー・クランプ
  • RDY でのパワー・グッドによる UVLO
  • 伝搬遅延およびパルス/部品スキューが小さい
  • 動作温度範囲：–40°C～125°C
  • 安全性関連の認定 (予定)
    • 8000VPK VIOTM および 2121VPK VIORM の、DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700VRMS において 1 分間の絶縁

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概要

UCC21732-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT に対応するように設計されたガルバニック絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバであり、先進的な保護機能とクラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、高い CMTI を実現しています。

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新製品 UCC21759-Q1 アクティブ Automotive 10-A, 3.0-kV RMS Single Channel Isolated Gate Driver for SiC/IGBT with Adv. Protection 基本絶縁型、内蔵ミラー・クランプ、ソフト・ターンオフのみ、DESAT 保護

技術資料

= TI が選択したこの製品の主要ドキュメント
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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート UCC21732-Q1 先進保護機能搭載、高 CMTI、シングルチャネル、絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバ データシート 2018年 10月 31日
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ユーザー・ガイド サーマル・ダイオードとセンシング FET を搭載した SiC/IGBT 絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン 英語版をダウンロード 2020年 1月 17日
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設計と開発

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ハードウェア開発

評価ボード ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
199
概要

The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)

特長
  • 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection with two-level soft turn OFF and Miller clamp drive signal for external FET
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
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ソフトウェア開発

サポート・ソフトウェア ダウンロード
SLUC695.ZIP (1108 KB)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM663.ZIP (65 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model
シミュレーション・ツール ダウンロード
PSpice® for TI design and simulation tool
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI を使用すると、内蔵のライブラリを活用して、複雑なミックスド・シグナル設計のシミュレーションを実施することができます。完成度の高い最終機器を設計し、レイアウトの確定や製造開始より前に、ソリューションのプロトタイプを製作することができます。この結果、市場投入期間の短縮と開発コストの削減を実現できます。 

設計とシミュレーション向けのツールである PSpice for TI の環境内で、各種 TI デバイスの検索、製品ラインアップの参照、テスト・ベンチの起動、設計のシミュレーションを実施し、選定したデバイスをさらに分析することができます。また、複数の TI デバイスを組み合わせてシミュレーションを実行することもできます。

事前ロード済みの複数のモデルで構成されたライブラリ全体に加えて、PSpice for TI ツール内で各種 TI デバイスの最新の技術関連資料に簡単にアクセスすることもできます。開発中のアプリケーションに適したデバイスを選定できたことを確認した後、TI 製品の購入ページにアクセスして、その製品を購入することができます。 

PSpice for TI を使用すると、回路の検討から設計の開発や検証まで、作業の進展に合わせて設計サイクルの各段階で、シミュレーションのニーズに適した各種ツールにアクセスできます。コスト不要で入手でき、開発を容易に開始できます。設計とシミュレーションに適した PSpice スイートをダウンロードして、今すぐ設計を開始してください。

 開発の開始

  1. PSpice for TI シミュレータへのアクセスの申請
  2. ダウンロードとインストール
  3. シミュレーション方法説明ビデオのご視聴
特長
  • Cadence の PSpice テクノロジーを活用
  • デジタル・モデル・スイートが付属する事前インストール済みのライブラリを活用して、ワーストケース・タイミング分析を実現可能
  • 動的更新により、最新のデバイス・モデルに確実にアクセス可能
  • 精度の低下を招かずに、シミュレーション速度を重視して最適化済み
  • 複数製品の同時分析をサポート
  • OrCAD Capture フレームワークを土台とし、業界で最も幅広く使用されている回路図のキャプチャとシミュレーションの環境へのアクセスを実現
  • オフライン作業が可能
  • 以下の点を含め、多様な動作条件とデバイス公差にまたがって設計を検証
    • 自動的な測定と後処理
    • モンテカルロ分析法
    • ワーストケース分析
    • 熱解析
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リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
SiC/IGBT isolated gate driver reference design with thermal diode and sensing FET
TIDA-020030 — このリファレンス・デザインは、IGBT モジュールを駆動する、高度な保護機能を実装した IGBT または SiC 絶縁型ゲート・ドライバのパワー・ステージです。このデザインは、高いレベルの安全性機能をサポートする単一のトラクション・インバータを使用して、単相パワー・ステージを形成しています。この IGBT モジュールは、温度監視向けの内蔵サーマル・ダイオードと、過電流保護向けの FET センシングを搭載しており、迅速で高精度の保護を実現します。このモジュールは、バイアス電源とその出力電圧に対する監視機能、冗長回路内の絶縁型 DC バス・センシング機能、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバ向けの温度センシング機能、PWM ゲート信号の監視、障害信号注入診断機能を搭載しています。この電源は、4.5V ～ 65V DC の広い入力範囲を受け入れ、最大 180mA の出力電流を供給します。絶縁型ゲート・ドライバは最大 ±10A の駆動能力を達成しているほか、温度と電圧のセンシングに使用できるアナログ/PWM コンバータも搭載しています。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

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