UCC21732-Q1

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先進保護機能搭載、高 CMTI、車載、シングルチャネル、絶縁型 SiC / IGBT ゲート・ドライバ

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製品の詳細

パラメータ

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

特長

  • シングルチャネル SiC/IGBT 絶縁ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み (認定予定)
  • 最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧 (VDD-COM):33V
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • アクティブ・ミラー・クランプ
  • RDY でのパワー・グッドによる UVLO
  • 伝搬遅延およびパルス/部品スキューが小さい
  • 動作温度範囲:–40°C~125°C
  • 安全性関連の認定 (予定)
    • 8000VPK VIOTM および 2121VPK VIORM の、DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700VRMS において 1 分間の絶縁

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概要

UCC21732-Q1 は、最大 1700V の SiC MOSFET および IGBT に対応するように設計されたガルバニック絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバであり、先進的な保護機能とクラス最高の動的性能および堅牢性を備えています。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、高い CMTI を実現しています。

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート UCC21732-Q1 先進保護機能搭載、高 CMTI、シングルチャネル、絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバ データシート 2018年 10月 31日
アプリケーション・ノート Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs 2020年 5月 13日
その他の技術資料 E-book:産業用ロボット設計に関するエンジニア・ガイド 英語版をダウンロード 2020年 3月 25日
その他の技術資料 E-book: An engineer’s guide to industrial robot designs.. 2020年 3月 25日
技術記事 What the DIN VDE V 0884-11:2017-01 standard means for your isolated designs 2020年 2月 27日
ユーザー・ガイド サーマル・ダイオードとセンシング FET を搭載した SiC/IGBT 絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン 英語版をダウンロード 2020年 1月 17日
アプリケーション・ノート Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 2020年 1月 16日
アプリケーション・ノート HEV/EV Traction Inverter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers 2019年 5月 2日
ユーザー・ガイド UCC21732QDWEVM-025 2019年 4月 30日
アプリケーション・ノート Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日

設計と開発

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ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$199.00
概要

The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)

特長
  • 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection with two-level soft turn OFF and Miller clamp drive signal for external FET
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns

ソフトウェア開発

サポート・ソフトウェア ダウンロード
SLUC695.ZIP (1108 KB)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM663.ZIP (65 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
SiC/IGBT isolated gate driver reference design with thermal diode and sensing FET
TIDA-020030 — このリファレンス・デザインは、IGBT モジュールを駆動する、高度な保護機能を実装した IGBT または SiC 絶縁型ゲート・ドライバのパワー・ステージです。このデザインは、高いレベルの安全性機能をサポートする単一のトラクション・インバータを使用して、単相パワー・ステージを形成しています。この IGBT モジュールは、温度監視向けの内蔵サーマル・ダイオードと、過電流保護向けの FET センシングを搭載しており、迅速で高精度の保護を実現します。このモジュールは、バイアス電源とその出力電圧に対する監視機能、冗長回路内の絶縁型 DC バス・センシング機能、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバ向けの温度センシング機能、PWM ゲート信号の監視、障害信号注入診断機能を搭載しています。この電源は、4.5V ~ 65V DC の広い入力範囲を受け入れ、最大 180mA の出力電流を供給します。絶縁型ゲート・ドライバは最大 ±10A の駆動能力を達成しているほか、温度と電圧のセンシングに使用できるアナログ/PWM コンバータも搭載しています。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

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ビデオ

Brushless DC (BLDC) Motor Reference Design Board Tour

Learn more about two new TI reference designs for brushless DC (BLDC) motors. Each TI design features new DRV5x Hall effect sensors, either the new DRV8307 or

投稿日: 24-Apr-2014
時間: 01:24

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