UCC21750

アクティブ

5.7kVrms ±10A, single-channel isolated gate driver w/ DESAT & internal miller clamp for IGBT/SiCFETs

製品の詳細

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12
SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 伝搬遅延時間:130ns 以下、パルス/部品スキュー:30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:–40℃~150℃
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 伝搬遅延時間:130ns 以下、パルス/部品スキュー:30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度:–40℃~150℃

UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、高い CMTI を実現しています。

UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、高い CMTI を実現しています。

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート UCC21750-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、10A ソース/シンク、強化絶縁型シングル・チャネル SiC/IGBT ゲート・ドライバ データシート 2019年 2月 28日
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設計と開発

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評価ボード

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在庫あり
制限: 5
シミュレーション・モデル

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SLUM718.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
計算ツール

UCC217xx XL Calculator Tool

SLUC695.ZIP (1108 KB)
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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