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製品の詳細

パラメータ

Bus voltage (Max) (V) 620 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V) 10 Input VCC (Max) (V) 20 Peak output current (A) 2.8 Rise time (ns) 16 Operating temperature range (C) -40 to 125 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 10 Prop delay (ns) 100 Iq (uA) 250 Input threshold TTL, CMOS Channel input logic Non-Inverting Negative voltage handling at HS pin (V) -11 Features Interlock open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

特長

  • ハイサイドおよびローサイド構成
  • 出力インターロックおよび150nsのデッドタイムを備えたデュアル入力
  • 最大620Vまで完全動作、HBピンの絶対最大定格700V
  • VDD推奨範囲: 10V~20V
  • ピーク出力電流: シンク2.8A、ソース1.8A
  • dv/dt耐性: 50V/ns
  • HSピンで-11Vまでロジック動作
  • 入力における負の電圧許容範囲: -5V
  • 大きな負の過渡安全動作領域
  • 両方のチャネルでのUVLO保護
  • 短い伝搬遅延(標準値100ns)
  • 遅延マッチング(標準値12ns)
  • ブートストラップ動作用に設計されたフローティング・チャネル
  • 低い静止電流
  • TTLおよびCMOS互換の入力
  • 業界標準のSOIC-8パッケージ
  • すべてのパラメータは-40℃~+125℃の温度範囲で規定

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open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

概要

UCC27712は620Vのハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバで、ソース1.8A、シンク2.8Aの電流能力を持ち、パワーMOSFETやIGBTを駆動するよう設計されています。

推奨VDD動作電圧は、IGBTでは10V~20V、パワーMOSFETでは10V~17Vです。

UCC27712には保護機能が組み込まれており、入力がオープンの状態、または最小入力パルス幅の仕様が満たされていない場合、出力はLOWに保持されます。インターロックおよびデッドタイム機能により、両方の出力が同時にオンになることが防止されます。さらに、このデバイスはの広い範囲のバイアス電源電圧を受け付け、VDDおよびHBの両方のバイアス電源についてUVLO保護を行います。

このデバイスは、TIの最先端の高耐圧デバイス・テクノロジで開発され、堅牢な駆動能力、非常に優れたノイズおよび過渡耐性が特長です。これには、入力における大きな負の電圧の許容、高いdV/dt許容、スイッチ・ノード(HS)における広い負の過渡安全動作領域(NTSOA)、インターロックが含まれます。

このデバイスは、1つのグランド基準チャネル(LO)と1つのフローティング・チャネル(HO)で構成され、ブートストラップまたは絶縁電源で動作するよう設計されています。このデバイスは、伝搬遅延が短く、両方のチャネル間で遅延マッチングが非常に優れています。UCC27712で、各チャネルはそれぞれHIおよびLI入力ピンによりコントロールされます。

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技術資料

= 主要な資料
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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート UCC27712 620V、1.8A、2.8Aハイサイド、ローサイド・ゲート・ドライバ、インターロック機能付き データシート (Rev. A 翻訳版) 最新の英語版をダウンロード (Rev.B) 2020年 1月 6日
アプリケーション・ノート Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020年 5月 12日
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その他の技術資料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) 2018年 10月 29日
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アプリケーション・ノート Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations 2018年 4月 24日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
ユーザー・ガイド Using the UCC27712EVM-268 2017年 6月 15日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$99.00
概要
UCC27712EVM-287 is designed for evaluating UCC27712D, which is a 620V half bridge gate driver with high source and sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection guide. The EVM can be (...)
特長
  • High performance driver with half bridge power MOSFETs
  • Ability to test most data sheet parameters
  • Ability to compare performance of various drivers with compatible pinout
  • Ability to easily configure converter topology such as synchronous buck converter

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM579.ZIP (68 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM599.TSC (1513 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM600.ZIP (23 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM637.ZIP (3 KB) - PSpice Model

リファレンス・デザイン

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CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 8 オプションの表示

購入と品質

サポートとトレーニング

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