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製品の詳細

パラメータ

Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V) 10 Input VCC (Max) (V) 18 Peak output current (A) 4 Rise time (ns) 15 Operating temperature range (C) -40 to 125 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 15 Prop delay (ns) 90 Iq (uA) 300 Input threshold TTL, CMOS Channel input logic Non-Inverting Negative voltage handling at HS pin (V) -8 Features open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (D) 14 52 mm² 8.65 x 6 open-in-new その他の ハーフ・ブリッジ・ドライバ

特長

  • それぞれ独立した入力を備えたハイサイドおよびローサイド構成
  • 最大600Vで動作可能(HSピン)
  • ブートストラップ動作用に設計されたフローティング・チャネル
  • ピーク出力電流能力:4Aシンク、4Aソース(VDD = 15V時)
  • クラス最小の伝播遅延(最大125ns)
  • クラス最高の遅延マッチング性能(最大20ns)
  • TTLおよびCMOS互換の入力ロジック
  • VDDバイアス電源範囲:10V~20V
  • 両方のチャネルに対するバイアスUVLO保護
  • レール・ツー・レール駆動
  • 負の過渡電圧時にも堅牢な動作
  • 高いdv/dt耐性(HSピン)
  • ロジック用(VSS)とドライバ用(COM)に個別のグランドを備え、電圧差に対応
  • オプションのイネーブル機能(ピン4)
  • 入力フローティング時に出力をLowに保持
  • 入力およびイネーブル・ピンの電圧レベルがVDDピンのバイアス電源電圧に制限されない
  • ハイサイドとローサイドの電圧ピンを個別に備えることで、沿面距離と空間距離を最大化
  • 入力ピンとイネーブル・ピンに負電圧処理機能を搭載

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概要

UCC27714は、4Aのソース電流能力および4Aのシンク電流能力を持つ600Vのハイサイド/ローサイド・ゲート・ドライバであり、パワーMOSFETやIGBTの駆動に適しています。1つのグランド基準チャネル(LO)と、ブートストラップ電源で動作するよう設計された1つのフローティング・チャネル(HO)から構成されています。優れた堅牢性とノイズ耐性を備え、HSピンでは最大–8VDCの負電圧に対しても動作ロジックを保持できます(VDD = 12V時)。

10V~20Vの幅広いバイアス電源入力に対応し、VCCとHBの両方のバイアス電源ピンに対してUVLO保護を備えています。UCC27714は、SOIC-14パッケージで供給され、–40°C~125°Cの温度範囲で仕様が規定されています。

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート UCC27714、高速600Vハイサイド/ローサイド・ゲート・ドライバ、ピーク出力4A データシート (Rev. B 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.B) 2017年 6月 23日
アプリケーション・ノート External Gate Resistor Selection Guide 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Understanding Peak IOH and IOL Currents 2020年 2月 28日
その他の技術資料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) 2018年 10月 29日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
アプリケーション・ノート Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations 2018年 4月 24日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
ホワイト・ペーパー Redefining power management through high voltage innovation 2015年 11月 12日
ユーザー・ガイド Using the UCC27714EVM-551 2015年 9月 14日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$199.00
概要

This 600W EVM was designed to demonstrate how the UCC28950 control IC, UCC27524A and UCC27714 gate drivers could be used in a phase shifted full bridge converter that achieves ZVS from 50 to 100% load. 

特長
  • ZVS from 50 to 100% load
  • Example of High efficiency design for 80 + Applications
  • Burst mode/DCM Function to reduce no load power dissipation to meet green mode requirements

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM460.ZIP (43 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM493.ZIP (19 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM494.TSC (201 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLUM636.ZIP (3 KB) - PSpice Model

リファレンス・デザイン

多くのTIリファレンス・デザインには、 UCC27714 が含まれています。 TIのリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用して、お客様のアプリケーションとパラメータに最適な設計を確認し、特定してください。

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 14 オプションの表示

購入と品質

サポートとトレーニング

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