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設計および開発

LMG3410EVM-031

LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

購入

LMG3410EVM-031

購入

概要

LMG3410EVM-031 configures two LMG3410R150 GaN FETs in a half bridge with the latched over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.

特長
  • Input voltage operates up to 600 V
  • Simple open loop design to evaluate performance of LMG3410R150
  • Single PWM input on board for PWM signal with 50-ns dead time
  • Latched over current protection function
  • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN
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購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3410R150 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

TI.com で取り扱いなし
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設計ファイル

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SNOC046.ZIP (7139 KB)

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) LMG3410R150-031 EVM User Guide 2019年 4月 2日
データシート LMG341xR150 600-V, 150-mΩ, GaN FET with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020年 2月 13日
データシート LMG341xR150 ドライバおよび保護機能を搭載した 600V、150mΩ GaN データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 8月 26日
証明書 LMG3410EVM-031 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 4月 23日

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