PMP23249
650V 30mΩ の GaN FET 向けドーター・カードのリファレンス・デザイン
PMP23249
概要
このリファレンス・デザインは、ドライバと保護機能を内蔵した 650V GaN FET であるLMG352XR0X0 を 2 個使用してハーフブリッジ構成を採用したほか、必要なバイアス回路と、ロジックまたは電力のレベル・シフト機能をいずれも搭載しています。出力段、ゲート駆動回路、高周波電流ループはいずれも完全密閉型でオンボード実装しているので、電源ループの寄生インダクタンスの最小化、電圧オーバーシュートの低減、性能向上に貢献します。このデザインはソケットを使用して外部接続を行う構成を採用しており、多様なアプリケーションで LMG352XR0X0 を動作させるときに、外部の電力段との接続を容易に実現できます。
特長
- LMG352XR030 の性能評価に適した開ループ設計
- サイクル単位の過電流保護とラッチ付き短絡保護
- 電力密度の向上に適したサイズ設定
- 最大 650V の入力電圧で動作
- 内部の過熱に対処する自己保護機能と、低電圧ロックアウト (UVLO) 監視機能
| 出力電圧オプション | PMP23249.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 300 |
| Vin (Max) (V) | 650 |
| Vout (Nom) (V) | 380 |
| Iout (Max) (A) | 9.4 |
| Output Power (W) | 3572 |
| Isolated/Non-Isolated | Non-Isolated |
| Input Type | DC |
| Topology | Other |
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDT304.PDF (899 K)
効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス・デザインに関する試験結果
TIDMAX9.PDF (137 K)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
製品
設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
データシート: PDF | HTML技術資料
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| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 試験報告書 | Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design | PDF | HTML | 2022年 10月 20日 |