CSD1FPCHEVM-890

FemtoFET P チャネルの評価基板

CSD1FPCHEVM-890

購入

概要

FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

特長
  • これらの LGA (ランド グリッド アレイ) パッケージ部品を容易に取り扱い可能
  • Vds とパッケージ サイズを幅広く取り揃え
  • 基板の一部を切り離すと、合計 7 枚の基板に分離可能。各ドーター カードには 1 個の FET を搭載済み
  • サイズと抵抗値に関して、FemtoFET は FET 業界で最善の組み合わせを達成
P チャネル MOSFET
CSD23280F3 ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、116mΩ、-12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD23285F5 ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm の LGA 封止、シングル、35mΩ、-12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD23382F4 ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 1mm の LGA 封止、シングル、76mΩ、-12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD25480F3 ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、159mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD25481F4 ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 1mm の LGA 封止、105mΩ、シングル、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD25484F4 ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 1mm の LGA 封止、シングル、109mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
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購入と開発の開始

評価ボード

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネル評価モジュール

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
証明書 CSD1FPCHEVM-890 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

サポートとトレーニング

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