LMG3410-HB-EVM

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価モジュールは、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載し、GaN デバイスのスイッチングの迅速な測定を可能にします。 この評価モジュールは適切な熱管理（強制空冷、低周波動作など）を行うと、最大動作温度を超えず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価モジュールはオープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。

相補型パルス幅変調信号と、ボード上に生成される対応デッドタイムにより、必要とされるパルス幅変調入力はわずか一つです。 短いグランド・スプリングを搭載しているオシロスコープのプローブにより、ロジックと出力段の主な波形を測定するため、プローブ点が用意されています。

LMG3410-HB-EVM は、2 個の LMG3410 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に必要なすべての補助ペリフェラル回路を備えています。  この評価モジュールは、LMG34XX-BB-EVM やカスタム設計の出力段など、より大規模なシステムと組み合わせて使用できます。  高性能レイアウト上の LMG3410 に利便性の高い接続ポイントを提供しており、動作とインサーキット測定を迅速かつ容易に実現できます。

必要な回路がすべて実装されているため、レベルシフトや絶縁は不要です。  補助バイアスは 2 つの方法で生成できます。デフォルトは 5V 単一入力のみを必要とする絶縁型電源で、12V ブートストラップ・モードで動作するように構成を変更することも可能です。  露出銅パッドが用意されており、消費電力がより大きい場合にヒートシンク・アセンブリを取り付けることができます。