LMG3410EVM-018

LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG3410EVM-018

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概要

LMG3410EVM-018 は、2 個の LMG3410R050 600V GaN FET と、内蔵のドライバや保護機能を組み合わせ、1 個のハーフブリッジを構成しています。この EVM は、必要な補助ペリフェラル回路全体を搭載しており、より大規模なシステムと組み合わせた場合も動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3410R050 の性能を評価するシンプルな開ループ設計
  • デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点
GaN(窒化ガリウム) IC
LMG3410R050 ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN
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ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3410R050 GaN FET power stage

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LMG3410EVM-018 – LMG3410R050 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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設計ファイル

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* ユーザー・ガイド Using the LMG3410EVM-018 Half-Bridge and LMG34XX-BB--EVM Breakout Board EVM 2019年 3月 8日
データシート LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection データシート 2020年 1月 16日
データシート LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) 最新の英語版をダウンロード (Rev.B) 2020年 1月 16日
その他の技術資料 LMG3410EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

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