LMG3411EVM-029

LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG3411EVM-029

購入

概要

LMG3411EVM-029 configures two LMG3411R070 GaN FETs in a half bridge with the cycle by cycle over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.

特長
  • Input voltage operates up to 600V
  • Simple open loop design to evaluate performance of LMG3411R070
  • Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead time
  • Cycle by cycle over current protection function
  • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes
GaN(窒化ガリウム) IC
LMG3411R070 ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600 V、70mΩ GaN
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ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3411R070 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3411EVM-029 – LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

設計ファイル

LMG3411EVM Design Files SNOC044.ZIP (3544 KB) LMG3411EVM-029 Design Files SNOC045.ZIP (4414 KB)

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* ユーザー・ガイド Using the LMG3411R070EVM Half-Bridge and LMG34XXBB-EVM Breakout Board EVM 2018年 10月 24日
データシート LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection データシート 2020年 4月 6日
データシート LMG341xR070 ドライバおよび保護機能搭載の600V、70mΩ GaN データシート (Rev. E 翻訳版) 最新の英語版をダウンロード (Rev.F) 2019年 7月 19日

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