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設計および開発

LMG3425EVM-041

LMG3425R050 理想ダイオード・モード搭載の 600V 50mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

購入

LMG3425EVM-041

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概要

LMG3425EVM-041 は、2 個の LMG3425R050 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、必要なすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG342XR0XX の性能を評価するシンプルな開ループ設計
  • 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET
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購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3425R050 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3425EVM-041 — LMG3425R050 理想ダイオード・モード搭載の 600V 50mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

リクエスト
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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* ユーザー・ガイド LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022年 1月 30日
証明書 LMG3425EVM-041 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

サポートとトレーニング

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