LMG3425EVM-043

LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG3425EVM-043

購入

概要

LMG3425EVM-043 は、2 個の LMG3425R030 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、必要とされるすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。  この EVM は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG342XR0XX の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点
GaN(窒化ガリウム) IC
LMG3425R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダ イオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET
ダウンロード
Important note

LMG3425EVM-043 is a prototype evaluation module and is available in limited quantities.

開始する

  • 理想ダイオード・モードを搭載した 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カードである LMG3425R030 と、LMG342x ファミリに対応するオプションの LMG342x GaN システム・レベル評価マザーボードのご注文
  • TI の『LMG342XEVM-04X User's Guide』 (英語) を読む

購入と開発の開始

ドーター・カード

LMG3425EVM-043 – LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

評価ボード

LMG342X-BB-EVM – LMG342x GaN システムレベルの評価マザーボード

TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* ユーザー・ガイド Using the LMG342XEVM-04X Half-Bridge EVM 2020年 10月 26日
データシート LMG342xR030 ドライバ / 保護と温度機能を搭載 600V、30mΩ GaN FET データシート 2020年 10月 28日
その他の技術資料 LMG3425EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

サポートとトレーニング

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