LMG34XX-BB-EVM
LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード
LMG34XX-BB-EVM
概要
LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。
相補型パルス幅変調信号を使用し、対応デッドタイムをボード上で生成するので、必要なパルス幅変調 (PWM) 入力はわずか 1 つです。短いグランド・スプリングを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できるように、複数のプローブ点が用意されています。
特長
- 最大 600V の入力電圧で動作
- LMG341x ドーター・カードのハーフブリッジ性能を評価するシンプルな開ループ設計
- デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
- 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点
Gallium nitride (GaN) power stages
開始する
- LMG341x ファミリと希望のドーター・カードに対応する、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボードのご注文
- LMG34XX-BB-EVM User's Guide (英語) を読みます
購入と開発の開始
評価ボード
LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード
TI.com で取り扱いなし
ドーター・カード
LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード
TI.com で取り扱いなし
ドーター・カード
LMG3411EVM-029 — LMG3411R070 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード
TI.com で取り扱いなし
ドーター・カード
LMG3411EVM-031 — LMG3411R150 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード
TI.com で取り扱いなし
設計ファイル
技術資料
= TI が選択した主要ドキュメント
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すべて表示 6
| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM ユーザー ガイド (英語) | Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) | 2017年 5月 3日 | |||
| データシート | LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. F) | PDF | HTML | 2020年 4月 6日 | |||
| データシート | LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 最新英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020年 1月 16日 | |
| データシート | LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection データシート (Rev. B) | PDF | HTML | 2020年 1月 16日 | |||
| データシート | LMG341xR070 ドライバおよび保護機能搭載の600V、70mΩ GaN データシート (Rev. E 翻訳版) | PDF | HTML | 最新英語版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2019年 7月 19日 | |
| 証明書 | LMG34XX-BB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019年 1月 2日 |