PMP20025

TPS62180 低消費電力 DDR メモリ電源のリファレンス・デザイン

概要

The PMP20025 reference design provides a compact low power solution for DDR4 memory.  The power supply is powered from a 12V source and regualtes the output to 1.2V at up to 6A.  The TPS62180 operates in a two phase buck mode that allows for very small external components.  The solution size is 10mm x 15mm.  The effciency at close to full load is approximately 80%.  At very light loads the efficiency is still above 50%.

特長
  • 12VIN to 1.2VOUT at 6A
  • Small Solution Size 10mm x 15mm
  • Max Height 1.2mm
  • Light Load Efficiency for Improved No Load Performance
  • Out of Phase Operation for Ripple Current Cancellation
出力電圧オプション PMP20025.1
Vin (Min) (V) 10.8
Vin (Max) (V) 13.2
Vout (Nom) (V) 1.2
Iout (Max) (A) 6
Output Power (W) 7.2
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Multiphase^Buck- Synchronous
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組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。

設計ファイルと製品

設計ファイル

すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。

TIDUBG1.PDF (1072 K)

効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス・デザインに関する試験結果

TIDRKF1.PDF (122 K)

設計レイアウトとコンポーネントを示した詳細な回路図

TIDRKE6.PDF (111 K)

設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト

TIDRKF2.PDF (77 K)

コンポーネントの配置を明示する詳細な設計レイアウト

TIDCBT1.ZIP (414 K)

PCB 設計の基板層に関する情報を記載した設計ファイル

製品

設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。

N チャネル MOSFET

CSD16410Q5A5mm x 6mm の SON 封止、シングル、12mΩ、25V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

データシート: PDF
降圧コンバータ (スイッチ内蔵)

TPS62180パワー・グッドと調整可能なソフト・スタート機能搭載、1% 精度、4V ~ 15V、6A 同期整流降圧コンバータ

データシート: PDF | HTML

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* 試験報告書 PMP20025 Test Results 2016年 1月 27日

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