PMP9175

クラス3 - 5V/2.3A 高効率同期整流フライバック・コンバータ、PoE アプリケーション用

概要

このコンバータは、高効率と絶縁が求められるクラス 3 PoE アプリケーションでの使用を想定しています。このデザインの具体的な出力は 5V@2.3A です。同期整流器を使用したフライバック・コンバータにより、IP 電話などの PoE アプリケーションに適した優れた効率性と小型サイズを実現しています。TPS23753APW は、PoE 受電側(PD)と PWM コントローラの両方の機能を内蔵

特長
  • PoE 電源とアダプタ電源のどちらの場合でも高い効率(最大で 90% を超過)
  • 出力は、5V/2.3A
  • 絶縁型フライバック、同期整流器付き
  • 小型ソリューション
  • PoE インターフェイス PD(受電側)と PWM コントローラを内蔵した TPS23753APW を使用
  • フル機能をテスト済み、新規設計時の推奨回路デザイン
出力電圧オプション PMP9175.1
Vin (Min) (V) 36
Vin (Max) (V) 57
Vout (Nom) (V) 5
Iout (Max) (A) 2.3
Output Power (W) 11.5
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Flyback- Synchronous^POE
エンタープライズ・システム
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組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。

設計ファイルと製品

設計ファイル

すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。

TIDU352.PDF (661 K)

効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス・デザインに関する試験結果

TIDR643.PDF (254 K)

設計レイアウトとコンポーネントを示した詳細な回路図

TIDR644.PDF (137 K)

設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト

TIDR645.PDF (224 K)

コンポーネントの配置を明示する詳細な設計レイアウト

TIDC434.ZIP (489 K)

PCB 設計の基板層に関する情報を記載した設計ファイル

製品

設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。

N チャネル MOSFET

CSD17527Q5A5mm x 6mm の SON 封止、シングル、10.8mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

データシート: PDF
N チャネル MOSFET

CSD17551Q3A3mm x 3mm のシングル SON 封止、9mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

データシート: PDF | HTML
シャント電圧リファレンス

TLV431A1% 精度、低電圧、調整可能な高精度シャント・レギュレータ

データシート: PDF | HTML
電力受電側

TPS23753A強化済み ESD ライドスルー機能搭載、IEEE 802.3-2005 PoE インターフェイスと絶縁コンバータ・コントローラ

データシート: PDF

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
試験報告書 PMP9175 Test Results 2014年 5月 14日

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