TPS51200EVM

TPS51200 シンクとソース (吸い込みと供給) の両方に対応、DDR 終端レギュレータ

TPS51200EVM

購入

概要

TPS51200EVM 評価ボード、言い換えると HPA322A は、TI のコスト最適化済み DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 向け VTT 終端レギュレータである TPS51200 の性能と特性を評価するための設計を採用しています。TPS51200 は、DDR メモリに適した終端電圧と 10mA のバッファ付き基準電圧を供給する設計であり、最小限の外付け部品で、DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) の各仕様に対応できます。

特長
  • 入力電圧:2.5V レールと 3.3V レールをサポート
  • VLDOIN、VDDQ の各電圧範囲:1.2V ~ 2.5V
  • シンク / ソース (吸い込みと供給) の過渡動作をエミュレートする内蔵過渡負荷スイッチ (シンクとソースの両方の機能に対応) を採用しており、動的性能の評価に役立ちます。使いやすさを向上させるため、負荷ステップと過渡タイミングの両方をオンボード抵抗で変更でき、電流情報もオンボードで監視することができます。
    • DDR:シンク / ソースの過渡負荷は ±1.67A
    • DDR2:シンク / ソースの過渡負荷は ±1.2A
    • DDR3:シンク / ソースの過渡負荷は ±1.0A
    • LP DDR3:シンク / ソースの過渡負荷は ±0.8A
  • イネーブル機能に対応するスイッチャ S1
  • PGOOD と CLK_IN のプローブ接続やループ応答テストに適した、利便性の高い複数のテスト ポイント
  • すべての部品を底面に配置した 2 層 PCB
N チャネル MOSFET
CSD17305Q5A 5mm x 6mm の SON 封止、シングル、3.6mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

 

マルチチャネル IC (PMIC)
TPS51200 DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 向けの VTTREF バッファード・リファレンス内蔵の 3A シンク/ソース DDR 終端レギュレータ TPS51200-EP シンク / ソース DDR 終端レギュレータ TPS51200-Q1 オートモーティブ・カタログ、シンク/ソース DDR ターミネーション・レギュレータ TPS51200A-Q1 シンク/ソースDDR終端レギュレータ
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購入と開発の開始

評価ボード

TPS51200EVM — TPS51200 シンク/ソース DDR ターミネーション・レギュレータ

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
データシート TPS51200 シンク/ソースDDR終端レギュレータ データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2020年 6月 9日
証明書 TPS51200EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日
EVM ユーザー ガイド (英語) Using the TPS51200 Evaluation Module 2008年 5月 28日

サポートとトレーニング

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