電源 IC

パワー MOSFET

小さいゲート電荷と抵抗で高速スイッチング・トランジスタを実現

広範な N チャネルと P チャネルのディスクリート・ソリューションとモジュール・ソリューションなどで構成される TI のNexFET™ パワー MOSFET は、効率、電力密度、周波数の向上と、開発期間の短縮を実現します。


N チャネル MOSFET トランジスタ

TI は抵抗とゲート電荷がクラス最高レベルで信頼性の高い N チャネル・デバイスを提供しており、高周波数動作と高電力密度を実現しています。


P チャネル MOSFET トランジスタ

TI の P チャネル・デバイスは業界最高の電力密度と最小のフットプリント、小さいゲート電荷による容易な駆動を特長としています。


出力段 MOSFET

出力段は PowerStack™ パッケージ・テクノロジーを活用しながら、集積ドライバ IC、最適化した制御機能、同期整流 FET を 組み合わせており、寄生容量の除去、スイッチング損失の低減、最大効率の実現を可能にします。


パワー・ブロック MOSFET

パワー・ブロックは PowerStack™ パッケージ・テクノロジーを活用しながら、最適化した制御機能と同期整流 FET を組み合わせ、寄生容量の除去と、効率とスイッチング周波数の向上を実現します。

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