電源 IC

パワー MOSFET

小さいゲート電荷と抵抗で高速スイッチング・トランジスタを実現

広範な N チャネルと P チャネルのディスクリート・ソリューションとモジュール・ソリューションなどで構成される TI のNexFET™ パワー MOSFET は、効率、電力密度、周波数の向上と、開発期間の短縮を実現します。


N チャネル MOSFET トランジスタ

TI は抵抗とゲート電荷がクラス最高レベルで信頼性の高い N チャネル・デバイスを提供しており、高周波数動作と高電力密度を実現しています。


P チャネル MOSFET トランジスタ

TI の P チャネル・デバイスは業界最高の電力密度と最小のフットプリント、小さいゲート電荷による容易な駆動を特長としています。


出力段 MOSFET

出力段は PowerStack™ パッケージ・テクノロジーを活用しながら、集積ドライバ IC、最適化した制御機能、同期整流 FET を 組み合わせており、寄生容量の除去、スイッチング損失の低減、最大効率の実現を可能にします。


パワー・ブロック MOSFET

パワー・ブロックは PowerStack™ パッケージ・テクノロジーを活用しながら、最適化した制御機能と同期整流 FET を組み合わせ、寄生容量の除去と、効率とスイッチング周波数の向上を実現します。

設計サイクルのあらゆる段階で開発者の皆様を支援する目的で作成した、MOSFET に関する TI の技術資料、アプリケーション・ノート、ビデオ、ツールをすべて活用できます。

設計のあらゆる段階で、TI のエンジニアから迅速で信頼性の高い技術サポートを受けることができます。

MOSFET の技術資料

タイトル
概要
What does a “lead-free” power MOSFET really mean? (英語) "鉛フリー" という用語から受ける印象と、実際に期待するべき内容の詳細をご確認ください。 
Choosing the right SOA for your design: discrete FETs vs. power blocks (英語) TI が単一のディスクリート FET と統合型パワー・ブロックの SOA (安全動作領域) を規定する方法の違いをご確認ください。
FemtoFET™ MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch (英語) TI の小型 FemtoFET™ MOSFET の主な利点をご確認ください。  
パワー・ブロックの採用により、電動工具設計の性能が向上 MOSFET パワー・ブロックを使用して、より信頼性が高く、より小型で効率的でコスト競争力の高いシステム・ソリューションを実現する方法をご確認ください。
MOSFET pair the size of a flake of pepper? (英語) 超薄型のパワー・ブロック II デバイスを使用して、製品の高密度化と同時に、消費電力の低減と発熱低減を実現する方法をご確認ください。
Selecting the right power MOSFET/power block package for your application (英語) TI の MOSFET とパワー・ブロックの各パッケージに関し、パッケージの放熱特性と消費電力の詳細をご確認ください。