MOSFET 出力段
システム効率の向上と設計の簡素化
TI の NexFET™ 出力段 MOSFET 製品とマルチフェーズ・コントローラを組み合わせることで、ソリューション・サイズを小型化するとともに、密度と効率を向上させ、システム・フィードバックを強化できます。
高効率
大型のグランド・リード・フレームが優れた放熱性能を実現する一方で、PowerStack™ パッキング・テクノロジーは寄生容量を除去し、スイッチング損失を低減します。
強化された診断フィードバック
サイクルごとに高精度な温度補正型双方向電流センスにより、システム監視と温度が向上します。さらに、障害監視により、システムの信頼性が向上します。
高集積
内蔵 MOSFE 、ドライバ、および電流センスは、パッシブ・コンポーネントを排除してソリューション・サイズの縮小とPCB レイアウトの簡略化を可能にする包括的なスイッチング機能を提供します。
主な製品
シームレスな統合
NexFET™ パワー・ブロックは TI のマルチフェーズ降圧コントローラとシームレスに組み合わせることができ、ソリューション・サイズの低減して効率的な設計を実現します。
主な技術資料の内容
Power Loss Calculation With CSI Consideration for Synchronous Buck Converters
同期整流・降圧コンバータは、低電圧、大電流のアプリケーションで広く使用されているトポロジです。電力損失が小さく高効率の同期整流・降圧コンバータは、将来に対応する高度なマイクロプロセッサに大きな需要があります。
技術記事
マルチフェーズ電源に関するブログ
注目のビデオ
TI のスマート電力段の構築とパッケージによって回路の性能を向上する方法についての詳細をご覧ください。