MOSFET

高速スイッチング・トランジスタに最適な小さいゲート電荷と小さい抵抗を実現

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TI の NexFET™ MOSFET を採用すると、N チャネルと P チャネルの多様なパワー・モジュールとディスクリート電源ソリューションを実現できます。TI の高集積 MOSFET は、効率の向上、バッテリ動作時間の延長、電力密度の向上、高速スイッチングに貢献します。これらの利点を通じて、設計のフレキシビリティを小型フォーム・ファクタで実現しているほか、設計エンジニアの皆様の開発期間短縮に貢献します。

カテゴリ別の参照

FemtoFET™ N チャネルと P チャネルの各 MOSFET

N チャネルと P チャネルの各 MOSFET

FemtoFET™ N チャネルと P チャネルの各 MOSFET は市場で入手できる中で最も小型の低オン抵抗パワー MOSFET です。各種 FemtoFET MOSFET は、半田ボールの代わりに金属性パッドを採用したシリコン・チップ・スケール・パッケージである LGA (ランド・グリッド・アレイ) パッケージに封止済みです。これらの製品は、モバイル・ハンドセットやタブレットのほか、基板面積の節減やバッテリ動作時間の延長を必須とする他のアプリケーションに最適です。

アプリケーション・ノート
MOSFET Support and Training Tools (Rev. C)
パワー MOSFET の設計をサポートするために必要な資料とツールをすべて検索。
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技術記事
How to Select a MOSFET – Basic Cross Referencing
開発に使用する MOSFET のクロスリファレンスを参照するための 3 つの基本的なステップをご確認ください。
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技術記事
How to Select a MOSFET – Load Switching
MOSFET をロード・スイッチとして使用する際の主な検討事項をご確認ください。 
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FemtoFET™ MOSFET に関する主な製品
CSD13380F3 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、76mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD17585F5 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm の LGA 封止、シングル、33mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD23280F3 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、116mΩ、-12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

技術リソース

ビデオ・シリーズ
ビデオ・シリーズ
MOSFET 101
このシリーズは、MOSFET の選択と設計に関する基本的なヒントを説明しています。
技術記事
技術記事
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
MOSFET のデータシートで UIS / アバランシェ定格を解釈する方法をご確認ください。
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技術記事
技術記事
What’s not in the power MOSFET data sheet, part 1: temperature dependency
MOSFET のデータシートの掲載事項、および、より重要な点として、どの事項が掲載されていないのか確認できます。
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設計と開発に役立つリソース

計算ツール
同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
計算ツール
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
計算ツール
ロード・スイッチ・アプリケーション向け MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。

MOSFET 関連の各種リファレンス・デザイン

セレクションツールを使用すると、お客様のアプリケーションやパラメータに最適なリファレンス・デザインをご覧いただけます。