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電源 IC

絶縁型ゲート・ドライバ

多様なアプリケーションで使用でき、堅牢性が高く、フレキシブルで、幅広い互換性を確保したデバイス

TI のフレキシブルで幅広い互換性を確保した絶縁型ゲート・ドライバを使用して、多くのアプリケーション向けに、より小型でより信頼性の高い設計を構築しましょう。TI の絶縁型ゲート・ドライバは、基礎絶縁、機能絶縁、強化絶縁のいずれでも、感電に対する保護を達成すると同時に、高電圧レベルでいっそうの保護を実現します。今すぐ設計を開始 

機能絶縁または基本絶縁

機能絶縁または基本絶縁は、最大 3kVrms に対処できる単一レベルの電気的絶縁と感電に対する十分な保護を実現します。これらのソリューションは堅牢なグランド・バウンス保護を実現すると同時に、高電圧ガイドラインに適合しています。

強化絶縁型

強化絶縁型は、最大 5.7kVrms の絶縁定格を実現し、人間や機器を感電から安全に保護します。強化ソリューションより高い動作電圧より広い沿面距離、最低地上高の強化されたシステムの信頼性を提供しています。

電源のトレンド

私たちの生活にエレクトロニクスを継続的に統合するうえで、パワー・マネージメントは中心的な役割を果たします。TI は数十年にわたり、お客様の設計に最適なパワー・デバイスを提供するための新しいプロセス、パッケージ、回路設計テクノロジーの開発をリードしてきました。電力密度、低 EMI、絶縁の課題に対処できる設計を採用した、TI の以下の主な絶縁製品をご確認ください。 

電力密度と絶縁を重視した各種絶縁型ゲート・ドライバ

絶縁デバイスは、高電圧ユニットと低電圧ユニットの間でデータと電力の伝送を許可すると同時に、有害な DC 電流や制御されていない過渡電流がグリッドから流れ込む事態を防止します。アイソレータを主な電力コンポーネントである統合型高速絶縁ゲート・ドライバと統合すると、絶縁の堅牢性と高い電力密度を実現できます。TI の絶縁型ゲート・ドライバは、基本絶縁、機能絶縁、強化絶縁という構成を採用しています。いずれも、コントローラ IC からローパワーの入力を受け入れ、MOSFET、IGBT、SiC、GaN の各パワー・スイッチに適した大電流ゲート・ドライブを生成します。

UCC21750

SiC/IGBT 向け、高度な保護機能搭載、±10A、5.7kVrms、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

UCC21530

チャネル相互間に 3.3mm のスペースを確保した、4A、6A、5.7kVrms 絶縁デュアルチャネル・ゲート・ドライバ

UCC5870-Q1

車載、機能安全準拠、15A、絶縁型 IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバ

主なリファレンス・デザイン

絶縁型ゲート・ドライバとコンボ・ボックス・アーキテクチャ

トラクション・インバータ、DC/DC コンバータ、オンボード・チャージャを単一のコンボ・ボックス・アーキテクチャに統合すると、自動車の重量軽減、全体的なコストの削減、電力密度の向上を実現でき、電気自動車(EV) の量産と普及に役立ちます。複数のシステムを統合しようとする場合、複雑な磁気素子の統合や、より高度な制御アルゴリズムの必要性など、新たな技術的課題に直面しがちです。先進的な診断機能と保護機能を搭載した絶縁型ゲート・ドライバは、統合と高い電力密度を、より低いシステム・コストで実現できます。

電気自動車 (EV) のコンボ・ボックス

A High-Performance, Combo Box Powertrain Solution (英語)

統合型パワートレイン・ソリューションを使用して、電気自動車 (EV) にパワー・エレクトロニクスを迅速に導入する場合の利点をご確認ください。

駆動能力の強化により出力を向上

コンボ・ボックスのパワートレイン・アーキテクチャ向けにコスト最適化済みの SiC/IGBT 絶縁型ゲート・ドライバは、50% 以上の基板サイズ縮小と電力密度の向上に貢献します。