IGBT、GaNFET、SiCFETに対応した絶縁型ハーフブリッジ・ドライバと絶縁型ローサイドゲート・ドライバを TI の広範な製品群から選択して最適な設計を実現できます。TI のゲート・ドライバ・ソリューション、リソース、専門知識を活用すると、優れた効率と信頼性や高い電力密度を達成するシステムを設計しやすくなります。
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新製品
Automotive 30-A isolated 5.7-kV VRMS IGBT/SiC MOSFET gate driver with advanced protection features
概算価格 (USD) 1ku | 4.98
ワイド・バンドギャップ技術
各種トポロジで高い電力密度と設計の簡素化を実現する高速 GaN ゲート・ドライバ
高速タイミング仕様、リードレス・パッケージ、狭いパルス幅への応答という特性を組み合わせた TI のドライバを採用すると、FET の高速スイッチングを実現できます。ゲート電圧のレギュレーション、プログラム可能なデッドタイム、内部消費電力の低減などの特長を追加した結果、高周波スイッチングを通じて可能な範囲で最大の効率を実現できます。
ホワイト・ペーパー
GaN と SiC の技術で電源の効率向上を実現します
この記事は、ワイド・バンドギャップ素材を TI の高電圧製品ラインアップと組み合わせた場合に電源で実現できる利点を解説します。
ホワイト・ペーパー
An Introduction to Automotive LIDAR (Rev. A)
このホワイト・ペーパーは、車載の LIDAR (光による検出と距離測定) と、自動運転システム向けのソリューションを紹介します。
ホワイト・ペーパー
Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A)
GaN の潜在能力を最大限に引き出すうえでゲート・ドライバの選定が重要な理由をご確認ください。
エネルギー効率と信頼性の高い小型システム設計に最適な SiC (シリコン・カーバイド) ゲート・ドライバ
SiC / IGBT ゲート・ドライバの高い駆動電流、高い CMTI、短い伝搬遅延により、設計効率を高めることができます。TI の各種 SiC ゲート・ドライバは、高速な短絡保護機能を内蔵し、高いサージ耐性を達成しているので、開発中のシステムで信頼性の高い絶縁を実現しやすくなります。高速かつ堅牢で信頼性の高いドライバを使用して、より高い PWM 周波数で SiC をスイッチングすることで、システム・サイズ、重量、コストを低減できます。
e-Book（PDF）
SiC Gate Driver Fundamentals e-book
IGBT および SiC ゲート・ドライバに関する最も一般的な質問のいくつかのソリューションをご確認ください。
ホワイト・ペーパー
Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)
SiC (シリコン・カーバイド) の潜在能力を最大限に発揮するには、適切なエコシステム、この場合はゲート・ドライバが必須です。革新的技術の概要とパワー・エレクトロニクスに及ぼす影響をお読みください。
アプリケーション・ノート
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B)
SiC MOSFET のさまざまな短絡保護方式の概要と比較をご覧ください。
技術リソース
その他の技術資料
Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)
このアプリケーション・ノートは、高速スイッチング・アプリケーションに適した高性能ゲート・ドライブ回路を設計する体系的なアプローチを解説します。
関連資料
ゲート・ドライバに関する FAQ (よくある質問)
この FAQ ページは、ゲート・ドライバに関する一般的な質問と設計上の課題に対する TI のソリューションを整理して掲載しています。
ホワイト・ペーパー
Impact of an isolated gate driver (Rev. A)
このホワイト・ペーパーでは、パワー・スイッチの機能として絶縁型ゲート・ドライバを使用する利点と要件について説明します。