N チャネル MOSFET

高周波数動作と電力密度の向上に貢献する、クラス最善の抵抗とゲート電荷

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TI の各種 N チャネル MOSFET は、高いスイッチング周波数を含め、さまざまな電源設計のニーズを満たせるように、電圧と電流の制御の改善に貢献します。TI の各種 N チャネル MOSFET を使用すると、フォーム・ファクタを小型化し、電力密度を最大化すると同時に、PCB のフットプリントを 50% 以上節減することができます。 

カテゴリ別の参照

種類別に選択

最大 BVDSS (ブレークダウン電圧) が 30V 以下

低電圧 N チャネル MOSFET を採用して設計を行い、ブレークダウン電圧が 30V 以下のデバイスを選択することができます。

最大 BVDSS (ブレークダウン電圧) が 40V ~ 100V

中電圧 N チャネル MOSFET を使用して設計を行い、ブレークダウン電圧が 40V ~ 100V のデバイスを選択することができます。

FemtoFET™ MOSFET

FemtoFET™ N チャネル MOSFET を使用する設計は、モバイル・ハンドセットやタブレットのほか、基板面積の節減やバッテリ動作時間の延長が必須のアプリケーションに最適です。

主な N チャネル MOSFET

技術リソース

アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
Power Loss Calculation With CSI Consideration for Synchronous Buck Converters (Rev. A)
この資料は、TI の各種 NexFET™ パワー・ブロックを紹介します。これらのパワー・ブロックは、デバイスとパッケージに関する高度な手法を使用してコモン・ソース・インダクタンス (CSI) を最小化するので、システムの電力損失低減に寄与します。 
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アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
このアプリケーション・ノート (英語) は、スイッチ・ノードのリンギングの原因と、このリンギングを高精度で特性評価し、その効果を最小化すると同時に、優れたシステム性能を維持するための各種測定手法について説明します。
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技術記事
技術記事
What’s not in the power MOSFET data sheet, part 1: temperature dependency (英語)
MOSFET のデータシートの掲載事項、および、より重要な点として、どの事項が掲載されていないのか確認できます。

設計と開発に役立つリソース

Calculation tool
同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
Calculation tool
ロード・スイッチ・アプリケーション向け MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。

N チャネル MOSFET 関連の各種リファレンス・デザイン

セレクションツールを使用すると、お客様のアプリケーションやパラメータに最適なリファレンス・デザインをご覧いただけます。