高周波数動作と電力密度の向上を実現する、トップクラスの抵抗とゲート電荷
低電圧 N チャネル MOSFET を使用する設計。30V 以下のデバイスから選択
中電圧 N チャネル MOSFET を使用する設計。40 ～ 100V デバイスから選択
モバイル・ハンドセットやタブレットなど、基板面積の低減やバッテリ駆動時間の延長が求められるアプリケーションに最適です。
主な N チャネル MOSFET
30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET
60V、1.3mΩ、TO-220 の NexFET™ パワー MOSFET
100V、12.1mΩ、SON 3.3 x 3.3mm の NexFET™ パワー MOSFET
NexFET™ MOSFET のビデオ
