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電源 IC

N チャネル MOSFET トランジスタ

高周波数動作と電力密度の向上を実現する、トップクラスの抵抗とゲート電荷

TI の N チャネル MOSFET トランジスタは、高いスイッチング周波数を含め、さまざまな電源設計のニーズを満たせるように、電圧と電流の制御の改善に貢献します。TI の N チャネル MOSFET を使用すると、フォーム・ファクタを小型化し、電力密度を最大化すると同時に、PCB のフットプリントを 50% 以上節減することができます。 

≤30V

≤30V

低電圧 N チャネル MOSFET を使用する設計。30V 以下のデバイスから選択。

デバイスの選択
40V ～ 100V

40V ～ 100V

中電圧 N チャネル MOSFET を使用する設計。40V ～ 100V のデバイスから選択。

デバイスの選択
FemtoFET™

FemtoFET™ MOSFET

モバイル・ハンドセットやタブレットなど、基板面積の低減やバッテリ駆動時間の延長が求められるアプリケーションに最適です。

デバイスの選択

主な N チャネル MOSFET

NexFET™ MOSFET のビデオ