MOSFET

高速スイッチング・トランジスタに最適な小さいゲート電荷と小さい抵抗を実現

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TI の NexFET™ MOSFET を採用すると、N チャネルと P チャネルの多様なパワー・モジュールとディスクリート電源ソリューションを実現できます。TI の高集積 MOSFET は、効率の向上、バッテリ動作時間の延長、電力密度の向上、高速スイッチングに貢献します。これらの利点を通じて、設計のフレキシビリティを小型フォーム・ファクタで実現しているほか、設計エンジニアの皆様の開発期間短縮に貢献します。

カテゴリ別の参照

FemtoFET™ N チャネルと P チャネルの各 MOSFET

N チャネルと P チャネルの各 MOSFET

FemtoFET™ N チャネルと P チャネルの各 MOSFET は市場で入手できる中で最も小型の低オン抵抗パワー MOSFET です。各種 FemtoFET MOSFET は、半田ボールの代わりに金属性パッドを採用したシリコン・チップ・スケール・パッケージである LGA (ランド・グリッド・アレイ) パッケージに封止済みです。これらの製品は、モバイル・ハンドセットやタブレットのほか、基板面積の節減やバッテリ動作時間の延長を必須とする他のアプリケーションに最適です。

設計ガイド
Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D)
テキサス・インスツルメンツ(TI)は、FemtoFET™ シリーズのパッケージで電子業界が小型パッケージ形状のテクノロジーに向かうことを促進しています。
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技術記事
How to Select a MOSFET – Basic Cross Referencing (英語)
開発に使用する MOSFET のクロスリファレンスを参照するための 3 つの基本的なステップをご確認ください。
技術記事
How to Select a MOSFET – Load Switching (英語)
MOSFET をロード・スイッチとして使用する際の主な検討事項をご確認ください。 
FemtoFET™ MOSFET に関する主な製品
CSD13380F3 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA 封止、76mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD17585F5 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm のシングル LGA 封止、33mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
CSD23280F3 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA 封止、116mΩ、-12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

技術リソース

ビデオ・シリーズ
ビデオ・シリーズ
MOSFET 101
このシリーズは、MOSFET の選択と設計に関する基本的なヒントを説明しています。
技術記事
技術記事
MOSFET データシートについて、パート 1 - UIS/アバランシェ定格
MOSFET のデータシートで UIS / アバランシェ定格を解釈する方法をご確認ください。
技術記事
技術記事
What’s not in the power MOSFET data sheet, part 1: temperature dependency (英語)
MOSFET のデータシートの掲載事項、および、より重要な点として、どの事項が掲載されていないのか確認できます。

設計と開発に役立つリソース

Calculation tool
同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
Calculation tool
ロード・スイッチ・アプリケーション向け MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。

MOSFET 関連の各種リファレンス・デザイン

セレクションツールを使用すると、お客様のアプリケーションやパラメータに最適なリファレンス・デザインをご覧いただけます。