ソリッド・ステート・リレー (半導体リレー)

可動部品を排除し、電気的絶縁を確保して電力と信号を伝送する機能を統合する方法で、システムの信頼性が向上

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基本絶縁型と強化絶縁型のスイッチとドライバで構成された TI の半導体リレー (SSR) 製品ラインアップは、可動部品を使用しない包括的な絶縁型半導体リレー・ソリューションを形成しています。静電容量性と磁気性の優れた絶縁技術を採用している TI の SSR (半導体リレー) は、コントローラ IC からローパワーの入力を受け入れ、MOSFET、IGBT、SiC (シリコン・カーバイド) MOSFET または SCR (シリコン制御整流器、半導体整流素子) のような内部または外部のパワー・スイッチの駆動に適した大電流のゲート・ドライブを生成します。TI の各種 SSR は独自の 2 次側バイアス電力を生成するので、外部の絶縁型電源が不要です。

カテゴリ別の参照

種類別に選択
絶縁型スイッチ・ドライバ (外部 FET)

絶縁バリアを通過する形で、各種外部パワー・スイッチ (MOSFET、IGBT、SiC、SCR) を制御します。

絶縁型スイッチ (内部 FET)

絶縁バリアを通過する形で、複数の内蔵高電圧 MOSFET (最大 1.4kV、50mA) を制御。

関連カテゴリ
絶縁

絶縁製品で構成された TI の包括的な製品ラインアップの詳細をご確認ください。

TPSI3052 新製品

15V ゲート電源内蔵、絶縁型スイッチ・ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 2.1
TPSI3050 新製品

10V ゲート電源内蔵、絶縁型スイッチ・ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 1.69
TPSI3052-Q1 新製品

車載対応、15V ゲート電源内蔵、強化絶縁型スイッチ・ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 2.49
TPSI2140-Q1 新製品

車載対応、2mA のアバランシェ定格、1400V、50mA、絶縁型スイッチ

概算価格 (USD) 1ku | 2.75
TPSI3050-Q1 新製品

車載対応、10V ゲート電源内蔵、強化絶縁型スイッチ・ドライバ

概算価格 (USD) 1ku | 1.99

TI の半導体リレーの利点

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システムの信頼性が向上し、優れた絶縁性能を実現

設計内に存在する可動部品の数を減らし、最大 3.75kVrms の基本絶縁と、最大 5kVrms の強化絶縁を実現することができます。

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電気的な絶縁を確保して電力と信号を伝送する機能を内蔵

TI の半導体リレーは、絶縁バリアを通過する形で電力と信号を伝送する機能をシングルチップに統合しており、開発中ソリューションのサイズとコストを低減するのに役立ちます。

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システムの安全性向上に貢献する高精度

TI の半導体リレーとバッテリ・モニタを 800V のバッテリ管理システムに組み合わせると、絶縁障害を迅速かつ高精度で検出できます。

技術リソース

アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
Cascoding TPSI3050-Q1 to Increase Voltage Drive
各種パワー・トランジスタ (Si MOSFET、IGBT、SiC MOSFET) に適したゲート・ドライブ電圧を選択する方法と、特定のパワー・トランジスタを駆動するときに 2 個の TPSI3050 絶縁型スイッチ・ドライバを使用して高効率を実現する方法を解説します。
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アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
Why Pre-Charge Circuits Are Necessary In High Voltage Systems
TPSI3050-Q1 絶縁型スイッチ・ドライバを複数の外部 FET と組み合わせて半導体リレー (SSR) ソリューションを製作し、機械的なプリチャージ・コンタクタ (リレー) を置き換えるとともに、電力密度を向上させる方法を解説します。
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技術記事
技術記事
ソリッドステート・リレーを採用し、絶縁の信頼性向上とソリューション・サイズの小型化を実現する方法
機械ベースと光学ベースの各絶縁に伴う短所や、静電容量式の絶縁型スイッチとドライバを使用してそれらを克服する方法を解説します。その結果、高電圧システムでの信頼性向上、ソリューション・サイズの小型化、コストの削減を実現できます。

設計と開発に役立つリソース

Reference design
半導体リレー向けゼロクロス・スイッチングのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、半導体リレーを使用してゼロクロス・スイッチング (ZCS) を実現する方法を提示します。このリファレンス・デザインは、TPSI3050-Q1 絶縁型スイッチ・ドライバを採用しています。TPSI3050-Q1 デバイスは、絶縁を実現すると同時に信号と電力を 2 次側に伝送するラミネート・トランスを内蔵しています。その結果、絶縁型バイアス電源が不要になります。また、TPSI3050-Q1 デバイスは、高電圧 (HV) 側にある外部回路に補助電流 (IAUX) を供給できます。ZCS (ゼロ電流スイッチング) を実現すると同時に、低電圧 (LV) と HV (...)

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AC ソリッド・ステート・リレーのリファレンス・デザイン、過電流および過熱保護

このリファレンス・デザインは、半導体リレーに関連する過電流保護と過熱保護の実現方法を提示します。このリファレンス・デザインは、5kVRMS 強化絶縁型スイッチ・ドライバである TPSI3050-Q1 を採用しています。TPSI3050-Q1 デバイスは、絶縁を実現すると同時に信号と電力を 2 次側に伝送するラミネート・トランスを内蔵しています。その結果、絶縁型バイアス電源が不要になります。加えて、TPSI3050-Q1 デバイスは、高電圧 (HV) 側にある外部回路に電力を供給できます。このリファレンス・デザインは、最大 4A の負荷条件で、最大 500VDC または 350VAC (...)

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高電圧の EV (電気自動車) 充電とソーラー・エネルギー分野の絶縁監視に適した AFE (アナログ・フロント・エンド) のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、電気ブリッジを使用する DC 絶縁監視 (DC insulation monitoring:DC-IM) 方式を採用しています。その結果、対称型と非対称型の各高精度絶縁リーケージ検出メカニズムと、絶縁抵抗検出メカニズムを実現できます。TI は新世代の絶縁型アンプとスイッチャを提供しています。これらを採用すると、ホット・サイド (高電圧側) に外部電源を配置せずに絶縁を実現することができます。したがって、マイコンはコールド・サイド (低電圧側) (...)