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BQ77307

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セル電圧の高精度測定機能搭載、2S ～ 7S (2 ～ 7 個の直列) 向け、低消費電力のプロテクタ

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製品詳細

Function Protection Number of series cells (min) 2 Number of series cells (max) 7 Features FET drive, Low-side driver, Open wire (OW), Over-temperature (OT), Overcurrent during charge (OCC), Overcurrent during discharge (OCD), Overvoltage, Short-circuit Discharge (SCD), Under-temperature (UT), Undervoltage Operating current (typ) (µA) 6 Rating Catalog Vin (max) (V) 38.5 Operating temperature range (°C) -40 to 110 Battery overvoltage protection (min) (V) 1 Battery overvoltage protection (max) (V) 5.5
Function Protection Number of series cells (min) 2 Number of series cells (max) 7 Features FET drive, Low-side driver, Open wire (OW), Over-temperature (OT), Overcurrent during charge (OCC), Overcurrent during discharge (OCD), Overvoltage, Short-circuit Discharge (SCD), Under-temperature (UT), Undervoltage Operating current (typ) (µA) 6 Rating Catalog Vin (max) (V) 38.5 Operating temperature range (°C) -40 to 110 Battery overvoltage protection (min) (V) 1 Battery overvoltage protection (max) (V) 5.5
VQFN (RGR) 20 12.25 mm² 3.5 x 3.5
  • 自律的な回復オプション搭載、2 直列～7 直列セル向け、1 次側または 2 次側の電圧、電流、温度からの保護
  • 電圧保護：
    • セル過電圧 (COV)：0V～5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
    • セル低電圧 (CUV)：0V～5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
  • 電流保護：
    • 放電時の短絡 (SCD)：10mV～500mV、可変ステップ
    • 充電時の過電流 (OCC)：3mV～123mV、2mV 刻み
    • 放電 1 および 2 の過電流 (OCD1 および OCD2)：4mV～200mV、2mV 刻み
  • 外部 NTC サーミスタを使用した温度保護：
    • 充電および放電時の過熱 (OTC および OTD)
    • 充電および放電時の低温 (UTC および UTD)
    • 内部ダイの過熱
  • NFET 保護用のローサイド ドライバを内蔵 (オプションの自律回復機能付き)
  • 低消費電力動作：
    • 通常モード、両方の FET をイネーブル：8µA
    • 通常モード、FET をディセーブル：5µA
    • シャットダウン・モード：1µA 未満
  • 45V の高電圧耐性 (セル接続および他の一部のピン)
  • テキサス・インスツルメンツによりプログラム済みのデバイス設定用ワンタイム プログラマブル (OTP) メモリを内蔵
  • ホスト プロセッサの割り込みをプログラム可能、I2C 経由でステータス情報を利用可能
  • 400kHz I2C シリアル通信 (オプションの CRC サポート付き)
  • 外部システムで使用するためのプログラム可能な LDO
  • 20 ピン QFN 3.5mm × 3.5mm × 0.9mm (RGR) パッケージ
  • 自律的な回復オプション搭載、2 直列～7 直列セル向け、1 次側または 2 次側の電圧、電流、温度からの保護
  • 電圧保護：
    • セル過電圧 (COV)：0V～5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
    • セル低電圧 (CUV)：0V～5.5V 1mV 刻み、 ± 4mV 精度
  • 電流保護：
    • 放電時の短絡 (SCD)：10mV～500mV、可変ステップ
    • 充電時の過電流 (OCC)：3mV～123mV、2mV 刻み
    • 放電 1 および 2 の過電流 (OCD1 および OCD2)：4mV～200mV、2mV 刻み
  • 外部 NTC サーミスタを使用した温度保護：
    • 充電および放電時の過熱 (OTC および OTD)
    • 充電および放電時の低温 (UTC および UTD)
    • 内部ダイの過熱
  • NFET 保護用のローサイド ドライバを内蔵 (オプションの自律回復機能付き)
  • 低消費電力動作：
    • 通常モード、両方の FET をイネーブル：8µA
    • 通常モード、FET をディセーブル：5µA
    • シャットダウン・モード：1µA 未満
  • 45V の高電圧耐性 (セル接続および他の一部のピン)
  • テキサス・インスツルメンツによりプログラム済みのデバイス設定用ワンタイム プログラマブル (OTP) メモリを内蔵
  • ホスト プロセッサの割り込みをプログラム可能、I2C 経由でステータス情報を利用可能
  • 400kHz I2C シリアル通信 (オプションの CRC サポート付き)
  • 外部システムで使用するためのプログラム可能な LDO
  • 20 ピン QFN 3.5mm × 3.5mm × 0.9mm (RGR) パッケージ
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技術資料

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* データシート BQ77307 リチウムイオン、リチウムポリマ、LiFePO4 (LFP)、および LTO バッテリ パック向け、2 直列～7 直列、高精度バッテリ 1 次側 / 2 次側プロテクタ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 12月 8日
ユーザー・ガイド BQ77307 Technical Reference Manual PDF | HTML 2023年 12月 6日

設計と開発

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VQFN (RGR) 20 オプションの表示
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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